您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > FW261-TL-E

FW261-TL-E 发布时间 时间:2025/9/21 11:33:56 查看 阅读:11

FW261-TL-E是一款由Diodes Incorporated生产的表面贴装肖特基势垒二极管,广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、续流与反向电压保护等电路中。该器件采用SOD-123FL超小型封装,具有低正向电压降、快速开关响应和高效率等特点,适用于对空间和能效要求较高的便携式电子设备。FW261-TL-E的结构设计优化了热性能和电气性能,使其在高频开关应用中表现出色。其主要优势在于能够在较小的封装内提供较高的电流承载能力,并具备良好的可靠性与稳定性,适合自动化贴片生产工艺。该器件符合RoHS环保标准,无铅且不含卤素,满足现代电子产品对环境友好材料的要求。

参数

类型:肖特基二极管
  封装/外壳:SOD-123FL
  是否无铅:是
  是否符合RoHS:是
  极性:单路,共阴极
  最大重复反向电压(VRRM):20V
  平均整流电流(Io):200mA
  正向压降(VF):典型值380mV @ 200mA, 最大500mV @ 200mA
  反向漏电流(IR):最大1μA @ 20V, 25°C
  工作结温范围(TJ):-55°C 至 +125°C
  存储温度范围:-55°C 至 +150°C
  反向恢复时间(trr):典型值<10ns

特性

FW261-TL-E的核心特性之一是其低正向导通压降(VF),在200mA的工作电流下典型值仅为380mV,最大不超过500mV。这一特性显著降低了器件在导通状态下的功率损耗,提高了系统的整体能效,特别适用于电池供电的便携式设备,如智能手机、可穿戴设备和物联网终端。由于肖特基二极管基于金属-半导体结而非PN结,其载流子为多数载流子,因此不存在少数载流子存储效应,从而实现了极快的开关速度和极短的反向恢复时间(trr < 10ns)。这种快速响应能力使其非常适合用于高频开关电源(SMPS)、同步整流辅助电路以及DC-DC升压或降压转换器中的续流路径。
  另一个关键特性是其紧凑的SOD-123FL封装,尺寸仅为2.0mm x 1.3mm x 1.0mm左右,适合高密度PCB布局,有助于缩小终端产品的体积。尽管封装小巧,但其热设计仍保证了在额定条件下的稳定运行。此外,该器件的最大重复反向电压为20V,适用于低电压系统中防止反接或瞬态电压冲击,常用于USB接口保护、电源路径切换和负载开关等场景。其反向漏电流极低,在25°C时最大仅为1μA,确保在关断状态下几乎不产生静态功耗,进一步提升了节能表现。
  FW261-TL-E还具备良好的温度适应性,结温范围可达-55°C至+125°C,可在较宽的环境温度条件下可靠工作。同时,器件通过AEC-Q101认证的可能性较高(需查证具体批次),适用于部分汽车电子应用。其无铅和无卤素的设计符合现代环保法规要求,支持绿色制造流程。总体而言,该器件在性能、尺寸与可靠性之间取得了良好平衡,是现代低电压、高效率电子系统中理想的整流与保护元件。

应用

FW261-TL-E广泛应用于各类需要高效整流与快速开关响应的电子系统中。常见使用场景包括便携式消费类电子产品中的DC-DC转换器,例如手机、平板电脑和蓝牙耳机等设备的电源管理单元,作为续流二极管或防反接保护元件。在同步整流架构中,它可用于辅助MOSFET进行电流换向,减少能量损耗。此外,该器件也适用于USB供电电路中的电压钳位与反向隔离,防止外部电源异常对主系统造成损害。在工业控制领域,FW261-TL-E可用于传感器模块、低功耗微控制器供电路径中的整流与保护。由于其快速响应特性,也可用于高频信号整流或检波电路中。汽车电子中的车载娱乐系统、LED照明驱动及小型ECU模块也可能采用此类器件进行电源优化与保护。其小型化封装使其成为空间受限应用的理想选择,尤其是在需要自动化贴片生产的批量产品中。

替代型号

MBR0520

FW261-TL-E推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

FW261-TL-E参数

  • 典型关断延迟时间30 ns
  • 典型接通延迟时间15 ns
  • 典型栅极电荷@Vgs8.6 nC V @ 10
  • 典型输入电容值@Vds460 pF V @ 10
  • 安装类型表面贴装
  • 宽度4.4mm
  • 封装类型SOP 8
  • 尺寸5 x 4.4 x 1.5mm
  • 引脚数目8
  • 最大功率耗散2.2 W
  • 最大栅源电压±20 V
  • 最大漏源电压30 V
  • 最大漏源电阻值83 m
  • 最大连续漏极电流5 A
  • 最高工作温度+150 °C
  • 每片芯片元件数目2
  • 类别通用
  • 通道模式增强
  • 通道类型N
  • 配置双、双漏极
  • 长度5mm
  • 高度1.5mm