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MI20-50PD-SF(71) 发布时间 时间:2025/9/5 6:40:10 查看 阅读:12

MI20-50PD-SF(71) 是一种高压功率MOSFET模块,广泛应用于需要高效率和高可靠性的功率转换系统中。该模块采用先进的半导体技术制造,具备出色的导通和开关性能,适用于多种工业和电力电子应用。

参数

类型:功率MOSFET模块
  最大漏源电压(Vds):500V
  最大漏极电流(Id):20A
  导通电阻(Rds(on)):典型值为0.18Ω
  封装形式:绝缘双列直插式封装(DIP)
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  隔离电压:2500Vrms(1分钟)

特性

MI20-50PD-SF(71)模块的核心特性之一是其高耐压能力,最大漏源电压达到500V,使其适用于高电压环境下的功率控制需求。该模块的导通电阻较低,典型值为0.18Ω,有助于降低导通损耗,提高系统效率。此外,模块具备较高的隔离电压,达到2500Vrms,确保了在高电压应用中的安全性与可靠性。
  该模块的封装设计采用绝缘双列直插式(DIP)形式,便于安装和散热管理,同时减少了外部绝缘组件的需求。模块的工作温度范围广泛,从-55°C到+150°C,适应各种恶劣环境条件下的稳定运行。MI20-50PD-SF(71)还具备良好的热稳定性和抗过载能力,能够在短时间内承受较高的电流负载,适合用于突发负载条件下的应用。
  此外,模块内部结构优化,具有较低的寄生电感,有助于减少开关过程中的电压尖峰,提高整体系统的稳定性。其紧凑的设计也节省了电路板空间,适合高密度安装的功率转换系统。

应用

MI20-50PD-SF(71)模块广泛应用于工业自动化、电力供应系统、电机驱动器、逆变器以及不间断电源(UPS)等场合。在这些应用中,该模块可作为主开关器件,实现高效的能量转换和控制。其高可靠性和优良的性能也使其适用于新能源领域,如太阳能逆变器和风能转换系统中的功率控制部分。

替代型号

SKM20GB12T4AG

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MI20-50PD-SF(71)参数

  • 产品深度30mm
  • 产品长度49mm
  • 产品高度3.8mm
  • 壳体向性直角
  • 外壳材料聚苯硫醚
  • 安装表面安装
  • 排数目2
  • 最低工作温度-55°C
  • 最大额定电压125V 交流
  • 最大额定电流0.5A
  • 最高工作温度85°C
  • 类型CF 卡
  • 终端方法焊接
  • 终端电镀
  • 节矩1.27mm
  • 触点数目50
  • 触点材料黄铜
  • 触点电镀
  • 触点类型HDR