3DU7 时间：2025/9/2 20:20:45 阅读：9

3DU7是一款N沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），主要用于高频率开关电源、DC-DC转换器和功率放大器等应用。该器件具有较高的耐压能力和较大的导通电流，适合在中等功率水平下工作。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：60V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　漏极电流（Id）：连续15A
　　功耗（Pd）：75W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　导通电阻（Rds(on)）：约0.045Ω（典型值）
　　封装形式：TO-220

特性

3DU7 MOSFET采用了先进的平面工艺技术，确保了器件的稳定性和可靠性。其高电流承载能力使其适用于需要高功率密度的电源设计。此外，该器件具有低导通电阻，有助于减少导通损耗，提高电源转换效率。在高温环境下，3DU7依然能保持良好的热稳定性，这使其在高可靠性要求的工业和汽车应用中表现出色。其栅极驱动特性良好，便于与常见的驱动电路兼容。
　　该器件的封装设计有助于良好的散热性能，使得其在高负载条件下也能保持较低的工作温度。此外，3DU7的短路和过载保护能力较强，进一步提升了系统的稳定性。在高频应用中，该器件的开关速度较快，有助于减少开关损耗，提高整体系统效率。