P3N60是一种N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),常用于电源管理和功率转换应用。这款MOSFET设计用于高效率和高可靠性的开关操作,适用于多种电子设备,如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和电机控制器。P3N60具有低导通电阻、高耐压和高电流承载能力,使其成为功率电子设计中的理想选择。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(VDS):600V
栅源电压(VGS):±20V
漏极电流(ID):3A
导通电阻(RDS(on)):约2.5Ω(最大值)
功率耗散(PD):50W
工作温度范围:-55°C至150°C
封装类型:TO-220
P3N60 MOSFET具有多个关键特性,使其适用于高功率应用。首先,其高耐压能力(600V)允许在高压环境中稳定工作,确保在高电压开关应用中的可靠性。其次,P3N60的低导通电阻(RDS(on))有助于降低导通损耗,提高系统效率。此外,该器件的封装形式(TO-220)提供了良好的散热性能,能够有效管理功率耗散,延长器件寿命。
另一个重要特性是其高电流承载能力(3A),这使得P3N60能够在需要较大负载电流的电路中使用。同时,P3N60具有良好的热稳定性和过载保护能力,能够在极端条件下维持稳定运行。这些特性共同确保了P3N60在各种工业和消费类电子产品中的广泛应用。
P3N60广泛应用于多个领域,包括但不限于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机控制电路、LED照明驱动器和电池充电器。在开关电源中,P3N60用于高效的电压转换和调节,提供稳定的输出电压。在DC-DC转换器中,它用于高效率的能量转换,适用于便携式设备和电动汽车系统。此外,P3N60还常用于电机控制和驱动电路,以实现精确的速度和扭矩控制。
在LED照明系统中,P3N60作为开关元件,用于调节电流以确保LED的稳定运行和长寿命。在电池充电器中,它用于控制充电电流和电压,确保安全高效的充电过程。由于其高耐压和高可靠性,P3N60也适用于工业自动化设备和电源管理系统。
IRF840, FQP3N60, STP3NK60Z, 2SK2545