型号：37N50A
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：500V
　　漏极电流（Id）：37A（25°C）
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　导通电阻（Rds(on)）：≤0.11Ω @ Vgs=10V
　　阈值电压（Vgs(th)）：2~4V
　　输入电容（Ciss）：约2200pF
　　输出电容（Coss）：约350pF
　　反向恢复时间（trr）：典型值110ns
　　最大功耗（Pd）：200W
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220/TO-247

37N50A的核心优势在于其低导通电阻与高耐压能力的结合，这使其在高效率电源设计中表现出色。其Rds(on)在Vgs=10V时可低至0.11欧姆，显著降低了导通状态下的功率损耗，从而减少了发热并提升了系统能效。这一特性特别适合用于大电流持续导通的应用，例如大功率AC-DC适配器、光伏逆变器和UPS不间断电源系统。此外，该器件具有较低的栅极电荷（Qg），意味着在高频开关操作中所需的驱动能量更少，有助于简化驱动电路设计并减少开关过程中的动态损耗。这对于工作频率较高的开关电源拓扑如LLC谐振变换器或硬开关PWM电路尤为重要。
　　该MOSFET具备良好的热稳定性和抗雪崩能力，能够在瞬态过载或短路情况下维持一定时间的正常工作，提高了系统的可靠性。其宽泛的工作结温范围（-55°C至+150°C）使其适用于恶劣环境条件下的工业应用。体二极管的存在不仅为感性负载提供了续流路径，还增强了器件在电机驱动和电磁阀控制中的适用性。虽然体二极管的反向恢复时间相对较高（约110ns），但在非高频硬开关应用中仍可接受。
　　37N50A采用成熟的平面工艺制造，确保了批次一致性与长期供货稳定性。TO-220或TO-247封装具备优良的散热性能，配合合适的PCB布局和散热片使用，可有效控制温升。此外，该器件符合RoHS环保标准，适用于现代绿色电子产品设计。尽管存在一些新型超结MOSFET在性能上更为优越，但37N50A凭借其成熟的技术、合理的价格和广泛的可用性，依然是许多中等功率电源设计中的可靠选择。

37N50A主要应用于需要高电压、大电流开关能力的电力电子系统中。常见用途包括开关模式电源（SMPS），特别是离线式反激、正激和半桥拓扑结构中作为主开关管使用。在这些应用中，它能够高效地将交流输入电压转换为稳定的直流输出，广泛用于电视、显示器、充电器和工业电源模块。
　　此外，该器件也适用于DC-DC变换器，尤其是在升压（Boost）和降压-升压（Buck-Boost）电路中，承担能量传递和电压调节的功能。在电机控制系统中，37N50A可用于H桥或单端正激驱动电路，控制小型直流电机或步进电机的启停与方向切换，适用于家用电器如洗衣机、风扇和电动工具。
　　在新能源领域，37N50A可用于小型太阳能逆变器或风能转换系统的DC-AC变换环节，作为功率开关元件参与能量转换过程。其500V的耐压能力足以应对常见的光伏阵列输出电压等级。同时，该器件也可用于电池管理系统（BMS）中的充放电控制回路，实现对储能单元的高效管理。
　　其他应用场景还包括电子镇流器、感应加热设备、焊接电源以及各类工业自动化控制设备中的固态继电器替代方案。由于其具备较强的过载能力和良好的热性能，37N50A在长时间连续运行的工业设备中表现出较高的可靠性。对于成本敏感且对性能要求适中的项目，该MOSFET是一个经济实用的选择。

IRFGB40
　　K2837
　　FQP37N50
　　STP37N50
　　FGP37N50