类型：肖特基势垒二极管
　　封装/外壳：TO-247AD
　　平均正向整流电流(IF(AV))：36A
　　反向重复峰值电压(VRRM)：60V
　　直流反向电压(VR)：60V
　　最大正向压降(VF)：约0.54V @ 18A, 0.62V @ 36A
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +175°C
　　浪涌电流能力(Ifsm)：通常大于200A
　　热阻结到壳(RthJC)：典型值约为1.2°C/W
　　安装类型：通孔安装
　　引脚数：3
　　反向漏电流(IR)：最大1.0mA @ 60V, 25°C；随温度升高而增加

36MT60的核心优势在于其卓越的电学性能和高可靠性设计。该器件采用了先进的肖特基势垒结构，利用金属-半导体接触形成势垒，从而实现比传统PN结二极管更低的正向导通压降。这一特性显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了能源转换效率，特别适用于高频开关电源和大电流输出场景。在实际应用中，当通过36A电流时，其典型正向压降仅为0.62V左右，这意味着功耗仅为约22.3W（P = V × I），相较于普通快恢复二极管可节省大量能量。
　　该器件具备出色的热管理能力。得益于TO-247AD封装的大表面积和优良的热传导路径，36MT60可以有效地将内部产生的热量传递至外部散热器，避免因局部过热导致的性能下降或器件损坏。其热阻结到壳（RthJC）典型值约为1.2°C/W，意味着每消耗1瓦特功率，结温仅上升约1.2摄氏度，在良好散热条件下可持续稳定运行。
　　36MT60还展现出优异的动态响应能力。作为肖特基二极管，它没有少数载流子存储效应，因此反向恢复时间几乎为零，极大减少了开关过程中的能量损耗和电磁干扰（EMI）。这使得它非常适合用于高频DC-DC变换器、同步整流替代方案以及桥式整流电路中，尤其在要求高效、低噪声的通信设备和服务器电源中表现突出。
　　此外，该器件具有较强的浪涌电流承受能力，能够短时承受超过200A的峰值电流，增强了系统应对瞬态负载变化或启动冲击的鲁棒性。其宽泛的工作温度范围（-55°C 至 +175°C）使其不仅适用于消费类电子，还能胜任汽车电子、工业控制及可再生能源系统等恶劣环境下的长期运行需求。

36MT60主要应用于各类高效率、大电流的电力电子系统中。常见用途包括开关模式电源（SMPS），特别是在低压大电流输出端作为整流元件，如用于服务器电源、台式计算机电源单元（PSU）和电信设备供电模块。在DC-DC转换器中，尤其是在降压（Buck）拓扑结构中，36MT60常被用作续流二极管或输出整流二极管，因其低正向压降可显著提高转换效率，降低温升。
　　该器件也广泛用于电池充电管理系统、逆变器和UPS不间断电源系统中，用于防止电流倒灌和实现能量回馈路径的单向导通控制。在太阳能光伏系统中，36MT60可用于组串式逆变器的防反接保护电路，确保多个太阳能板之间不会相互放电，提升系统安全性和稳定性。
　　在电机驱动和工业自动化设备中，36MT60可用于感应负载的续流保护，吸收感性元件断电时产生的反向电动势，防止电压尖峰损坏主控开关器件（如MOSFET或IGBT）。此外，该器件还可用于汽车电子系统中的辅助电源整流、车载充电机（OBC）以及LED照明驱动电源中，凭借其高可靠性和耐高温特性，在复杂电磁环境和高温舱内仍能保持稳定性能。
　　由于其大电流承载能力和紧凑封装，36MT60也成为许多高密度电源设计的理想选择，尤其适合空间受限但功率密度要求高的应用场景。

MBR35H60CT