时间：2025/7/22 19:39:50
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FDBL0150N80 是一款由 Fairchild Semiconductor（现为 ON Semiconductor）生产的高功率 N 沟道 MOSFET 晶体管，主要用于电源管理和功率转换应用。该器件具有高电流能力和低导通电阻，适用于高效率电源设计。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压 Vds：800V
连续漏极电流 Id：15A（Tc=25℃）
导通电阻 Rds(on)：0.42Ω @ Vgs=10V
栅极电压 Vgs：±30V
功率耗散：200W
工作温度：-55℃ ~ +150℃
封装类型：TO-220
FDBL0150N80 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET，专为高电压和高电流应用而设计。它具有高达 800V 的漏源击穿电压，能够在高压环境中稳定工作。该器件的低导通电阻（Rds(on)）确保了在高电流条件下的最小功率损耗，提高了系统的整体效率。
此外，FDBL0150N80 具有较强的热稳定性和过载能力，适用于连续工作在高温环境的场景。其 TO-220 封装形式便于安装和散热，适合用于各类开关电源、DC-DC 转换器以及电机控制电路。
这款 MOSFET 还具备良好的栅极控制特性，使得驱动电路设计更为简单，降低了外围元件的复杂度和成本。其±30V 的栅极电压耐受能力提供了更大的设计灵活性，避免了因栅极电压波动导致的意外击穿问题。
总体而言，FDBL0150N80 是一款可靠且高效的功率器件，适用于需要高耐压和高电流能力的工业、消费电子和电源管理领域。
FDBL0150N80 常用于各种功率电子系统，如 AC-DC 开关电源、DC-DC 转换器、电池充电器、电机驱动器以及高电压 LED 照明控制系统。其高耐压和低导通电阻特性使其在高效能电源设计中表现尤为出色。
STP15N80, FQA15N80, IRFGB40N80
