型号：36MT100
　　制造商：Vishay Siliconix
　　器件类型：双通道肖特基势垒二极管模块
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：100V
　　最大直流阻断电压（VR）：100V
　　平均整流电流（IF(AV)）：180A（每单元）
　　峰值非重复浪涌电流（IFSM）：400A（半正弦波，单脉冲）
　　正向压降（VF）：典型值0.57V，最大值0.65V（在TA = 125°C，IF = 90A时）
　　反向漏电流（IR）：最大50mA（在VR = 100V，TJ = 150°C）
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +150°C
　　热阻（RθJC）：0.35°C/W（每个二极管）
　　封装类型：TO-247AD
　　安装方式：通孔安装
　　引脚数：3
　　极性配置：双独立肖特基二极管

36MT100的核心特性之一是其卓越的低正向压降性能，在高温高电流工作条件下依然能够维持低于0.65V的正向压降，显著降低了导通损耗，提升了系统的整体能效。这一优势在高频开关电源和大功率DC-DC转换器中尤为重要，因为这些应用对能量转换效率极为敏感。其双单元并联结构允许用户灵活配置电路拓扑，既可以作为两个独立的整流路径使用，也可以并联以承载更高的总电流，增强了设计的适应性。每个二极管单元均经过严格筛选和匹配，确保电流分配均衡，避免局部过热导致的早期失效。
　　另一个关键特性是其出色的热管理能力。得益于TO-247AD封装中的低热阻设计（仅为0.35°C/W），热量可以从芯片迅速传导至散热器，有效控制结温上升。这对于长时间满载运行的工业设备至关重要，有助于提升系统的长期可靠性和使用寿命。此外，该器件具备良好的抗热循环疲劳能力，即使在频繁启停或负载波动的应用场景下也能保持稳定的电气性能。
　　36MT100还展现出优异的动态响应能力。作为肖特基二极管，它没有少数载流子存储效应，因此在关断过程中几乎不存在反向恢复时间（trr），极大减少了开关过程中的能量损耗和电磁干扰（EMI）。这种零反向恢复特性使其非常适合用于高频PWM控制电路，如主动钳位、谐振变换器和同步整流拓扑中。相比传统的快恢复二极管或超快恢复二极管，36MT100在高频工况下的温升更低，系统效率更高。
　　最后，该器件在制造过程中采用了高质量材料和严格的品质控制流程，保证了批次一致性与长期供货稳定性。其符合AEC-Q101汽车级可靠性标准的部分测试条件，虽非车规认证型号，但仍可用于部分严苛工业环境。综合来看，36MT100凭借其低损耗、高电流、良好热性能和高可靠性，成为高功率密度电源设计中的优选方案之一。

36MT100主要应用于各类高功率、高效率的电力电子系统中。在通信电源领域，它常用于服务器电源、基站供电模块中的输出整流级，利用其低正向压降特性来提高转换效率并降低散热需求。在太阳能光伏逆变器中，该器件作为直流侧的续流或防反接二极管，可有效防止夜间或故障状态下电池组反向放电，同时在MPPT控制过程中提供快速响应路径，提升系统整体能量利用率。
　　在工业自动化设备中，36MT100广泛用于变频器和伺服驱动器的制动单元或续流回路，吸收电机再生能量并保护主控IGBT模块免受电压尖峰冲击。其高浪涌电流承受能力使其能够应对突发的回馈能量脉冲，保障系统安全运行。此外，在不间断电源（UPS）系统中，该器件用于旁路整流和电池充放电管理电路，确保在市电中断或恢复时实现无缝切换。
　　在电动汽车充电基础设施中，36MT100可用于车载充电机（OBC）或直流充电桩的辅助电源和功率因数校正（PFC）后级整流环节，特别是在双向OBC设计中，其快速开关特性和低损耗表现尤为突出。此外，该器件也适用于大功率LED照明驱动电源、电焊机电源、医疗成像设备电源等对可靠性和效率要求极高的场合。得益于其坚固的封装和宽泛的工作温度范围，36MT100可在恶劣环境条件下稳定运行，满足工业级和部分户外应用的需求。

VS-36MT100FPB