时间：2025/7/7 10:38:52
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CSD17301Q5 是一款由德州仪器（TI）生产的 N 沟道增强型 MOSFET，采用 QFN 封装。该器件主要针对高频开关应用进行了优化，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，适合用于 DC-DC 转换器、负载开关以及电机驱动等场景。
这款 MOSFET 在设计时注重降低功耗并提升效率，同时支持高电流操作，能够满足现代电源管理系统对性能和小型化的要求。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：28A
导通电阻：4.5mΩ
栅极电荷：28nC
总电容：160pF
工作结温范围：-55℃ 至 150℃
CSD17301Q5 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），仅为 4.5mΩ，有助于减少传导损耗并提高整体系统效率。
2. 快速开关能力，得益于其较低的栅极电荷和输出电容，非常适合高频应用。
3. 高雪崩耐量和坚固性，确保在恶劣条件下也能稳定运行。
4. 符合 RoHS 标准，环保且易于集成到各种电路设计中。
5. 紧凑的封装尺寸，减少了 PCB 空间占用，便于小型化设计。
6. 支持高电流负载，具备出色的热性能表现。
CSD17301Q5 广泛应用于需要高效功率转换和开关控制的领域：
1. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流和主开关管。
2. 降压和升压 DC-DC 转换器的核心组件。
3. 笔记本电脑和其他便携式电子设备中的负载开关。
4. 电动工具、家用电器及工业设备中的电机驱动电路。
5. 可再生能源系统中的逆变器和电池管理单元。
6. 数据通信和电信基础设施中的电源模块。
CSD17302Q5B, CSD17578Q5A, IRF7843TRPBF
