时间：2025/8/13 18:20:47
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FFB2907A-F40 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于高功率、高效率的电源管理系统中。该器件采用先进的技术，具有低导通电阻（Rds(on)）、优异的热性能以及快速开关特性，适用于电机控制、DC-DC 转换器、电池管理系统和电源开关等应用领域。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流（Id）：120A
最大漏源电压（Vds）：30V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：@10V Vgs，最大为 2.25mΩ；@4.5V Vgs，最大为 3.75mΩ
功耗（Ptot）：250W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
FFB2907A-F40 MOSFET 的主要特性之一是其极低的导通电阻（Rds(on)），这有助于减少导通损耗并提高整体系统效率。该器件在 10V 和 4.5V 栅极驱动电压下均能提供优异的导通性能，支持广泛的电源管理应用。
此外，该 MOSFET 采用先进的封装技术，具有良好的散热能力，能够在高电流和高温环境下稳定运行。其热阻（Rth）较低，有助于提升器件在高功率应用中的可靠性。
该器件的开关速度较快，能够有效减少开关损耗，适用于高频开关电源和电机控制等应用场景。其栅极电荷（Qg）较低，有助于降低驱动电路的功耗和复杂度。
FFB2907A-F40 还具有优异的雪崩能量承受能力，能够在瞬态过压条件下提供额外的保护，提高系统的稳定性和可靠性。其封装符合 RoHS 标准，支持环保应用。
FFB2907A-F40 广泛应用于高功率电源管理系统，包括 DC-DC 转换器、同步整流器、电池管理系统（BMS）、电机驱动和电源开关模块等。其优异的导通性能和热稳定性也使其适用于汽车电子、工业自动化和高性能计算设备中的电源管理电路。
STL120N3LLF2AG, FDBL0180, FDBL0160
