您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > 35MXG15000MEFCSN35X35

35MXG15000MEFCSN35X35 发布时间 时间:2025/9/7 20:28:13 查看 阅读:5

35MXG15000MEFCSN35X35 是一款由 Vishay Siliconix 生产的 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)器件,专为高功率和高频应用设计。这款晶体管采用先进的功率 MOSFET 技术,具备低导通电阻(Rds(on))、高耐压能力和优异的热性能,适用于电源管理、DC-DC 转换器、电机控制和工业自动化系统等应用场景。其封装形式为表面贴装(SMD),便于自动化生产和高密度电路设计。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):150V
  栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):35A
  导通电阻(Rds(on)):约4.5mΩ(典型值)
  功率耗散(Pd):140W
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  封装类型:PowerPAK SO-8 双面散热

特性

35MXG15000MEFCSN35X35 的主要特性包括其极低的导通电阻(Rds(on)),这有助于降低导通损耗并提高整体系统效率。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 设计,提供出色的热管理和高电流承载能力,适用于高功率密度应用。此外,该 MOSFET 具有较高的雪崩能量耐受能力,能够在瞬态条件下保持稳定运行,从而提高系统的可靠性和耐用性。
  该器件的栅极驱动设计兼容标准逻辑电平(如5V或10V驱动),使得其可以与多种控制电路(如PWM控制器或微处理器)直接配合使用,无需额外的电平转换电路。这大大简化了设计复杂度并降低了系统成本。
  另一个显著特点是其优异的高频响应性能,使其适用于开关频率较高的应用,如同步整流、谐振转换器和无线充电系统。此外,该器件的封装设计支持双面散热,进一步提高了热效率,确保在高负载条件下仍能保持较低的工作温度。

应用

35MXG15000MEFCSN35X35 适用于多种高功率和高效率电子系统,包括但不限于以下应用:
  1. 电源管理:如DC-DC降压/升压转换器、AC-DC电源适配器和服务器电源系统。
  2. 电机驱动与控制:用于电动工具、工业电机控制和电动汽车(EV)电驱系统中的高边/低边开关。
  3. 电池管理系统(BMS):作为高效率的充放电控制开关,适用于锂离子电池组和储能系统。
  4. 工业自动化:用于PLC、变频器和伺服驱动器中的功率开关模块。
  5. 汽车电子:如车载充电器(OBC)、48V轻混系统和电动助力转向系统(EPS)等应用。
  6. 高频电源转换:适用于无线充电、感应加热和高频逆变器等设计。

替代型号

SiR140DP, IPB013N15N3 G, SQJA40EP, IXFN32N150P

35MXG15000MEFCSN35X35推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

35MXG15000MEFCSN35X35资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

35MXG15000MEFCSN35X35参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥56.36000散装
  • 系列MXG
  • 包装散装
  • 产品状态在售
  • 电容15000 μF
  • 容差±20%
  • 电压 - 额定35 V
  • ESR(等效串联电阻)-
  • 不同温度时使用寿命105°C 时为 3000 小时
  • 工作温度-40°C ~ 105°C
  • 极化极化
  • 等级-
  • 应用通用
  • 不同低频时纹波电流3.72 A @ 120 Hz
  • 不同高频时纹波电流4.278 A @ 10 kHz
  • 阻抗-
  • 引线间距0.394"(10.00mm)
  • 大小 / 尺寸1.378" 直径(35.00mm)
  • 高度 - 安装(最大值)1.457"(37.00mm)
  • 表面贴装焊盘尺寸-
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳径向,Can - 卡入式