类型：DRAM模块
　　容量：128GB
　　型号：35LSQ120000M64X99
　　制造商：Micron（美光）
　　数据速率：12000MT/s
　　接口类型：RDIMM（Registered DIMM）
　　电压：1.2V（低电压版）
　　工作温度：0°C 至 +85°C
　　纠错码（ECC）：支持
　　内存总线宽度：64位
　　模块配置：基于x4或x8颗粒的ECC RDIMM
　　封装：288针DIMM
　　

35LSQ120000M64X99 模块采用了先进的DRAM技术，具备出色的性能和稳定性。其12000MT/s的数据传输速率能够满足高性能计算和数据密集型应用的需求。该模块的工作电压为1.2V，相比传统的1.5V电压标准，功耗降低了约20%，这对于降低数据中心和服务器的总体能耗至关重要。
　　模块支持ECC（错误校正码）功能，能够在数据传输过程中检测和纠正单比特错误，极大地提升了数据的完整性和系统的可靠性。这种特性对于服务器和网络设备等需要长时间运行的应用尤为重要。此外，模块的工作温度范围为0°C至+85°C，确保了在各种环境条件下的稳定运行。
　　288针DIMM封装提供了标准化的物理接口，使得该模块能够轻松集成到现有的主板设计中。模块的容量为128GB，适用于需要大量内存的应用，如虚拟化环境、数据库服务器和高性能计算集群。模块的x4或x8颗粒配置也提供了灵活性，可以根据具体应用需求进行优化。

35LSQ120000M64X99 主要应用于需要高性能和大容量内存的设备，如企业级服务器、云计算基础设施、网络交换设备、存储系统以及工业计算机。由于其低功耗和高可靠性，该模块也适用于需要长时间运行且对数据完整性要求较高的系统，如金融交易服务器、医疗成像设备以及自动化控制系统。

Hynix HMA84GR7C4S-XN9A, Samsung M393A4G40DB0-CTD, Crucial ECC RDIMM CT12848BA1200, Kingston ECC RDIMM KVR1200D4D40128