类型：DDR2 SDRAM
　　数据宽度（单颗）：16 位（X16）
　　总线宽度（组合后）：32 位
　　工作电压：1.8V ±0.1V
　　时钟频率：典型范围 100 MHz 至 200 MHz
　　数据速率：200 Mbps 至 800 Mbps（DDR2-400 至 DDR2-800）
　　封装形式：BGA（如 60-ball, 84-ball 等）
　　刷新模式：自动/自刷新
　　温度范围：商业级（0°C 至 +70°C），工业级可选
　　行列地址：根据密度不同，如 A0-A12 行地址，A0-A9 列地址

DDR2 SDRAM 相较于前一代 DDR 技术，在架构和性能上实现了多项关键改进，显著提升了内存带宽和能效。其核心特性之一是引入了 4-bit 预取架构（4-bit prefetch architecture），即在每个内部时钟周期从核心阵列中预取 4 位数据，然后通过 I/O 接口在两个外部时钟周期内以双倍数据速率传输完毕。这一机制使得 DDR2 能够在不提高核心阵列访问速度的前提下实现更高的外部数据传输率，从而有效平衡了性能与功耗。此外，DDR2 采用了增强型信号技术——差分 DQS（Data Strobe）和 SSTL_18 接口标准，提高了高速数据传输下的信号完整性，支持更高的工作频率。为了进一步降低功耗，DDR2 工作电压由 DDR 的 2.5V 下降至 1.8V，这不仅减少了动态功耗，也降低了系统散热需求，特别适用于笔记本电脑、嵌入式设备和高密度服务器等对功耗敏感的应用场景。
　　另一项重要特性是 DDR2 支持多种省电模式，包括部分阵列自刷新（Partial Array Self Refresh, PASR）、温度补偿自刷新（Temperature Compensated Self Refresh, TCSR）和深度掉电模式（Deep Power-Down Mode），这些功能可根据系统负载动态调节内存功耗。例如，PASR 允许仅刷新正在使用的存储区，减少不必要的电流消耗；TCSR 则根据芯片温度调整刷新周期，在低温环境下延长刷新间隔，进一步节能。此外，DDR2 还集成了片上终端电阻（On-Die Termination, ODT），可在读写操作期间自动启用内部终端匹配网络，消除信号反射，提升多负载系统的稳定性。相比传统主板级终端，ODT 简化了 PCB 布局，提高了高频工作的可靠性。最后，DDR2 提供灵活的突发长度（Burst Length）和突发类型（Burst Type）配置，支持连续和交错两种模式，适配不同应用的数据访问模式，优化整体系统性能。

DDR2 SDRAM 广泛应用于 2004 年至 2012 年间的各类计算和嵌入式系统中，作为主内存组件承担着处理器与存储之间的高速数据交换任务。在个人计算机领域，DDR2 是 Intel LGA775 平台、AMD AM2/AM2+ 处理器平台的标准内存规格，常见于台式机和笔记本电脑中，支持双通道架构以实现高达 12.8 GB/s 的峰值带宽（DDR2-800）。在服务器市场，DDR2 ECC 内存模块被广泛采用，提供错误检测与纠正能力，保障数据中心和企业级应用的数据完整性。在网络通信设备方面，如路由器、交换机和基站控制器，DDR2 因其高带宽和低延迟特性被用于缓存数据包、存储路由表和运行实时操作系统。工业控制与自动化系统也大量使用 DDR2，特别是在工控机、PLC 和人机界面（HMI）设备中，满足长时间稳定运行的需求。此外，在消费类电子产品中，高端数字电视、机顶盒、游戏主机（如 PlayStation 3 初期型号）以及多媒体播放器均曾采用 DDR2 内存来支持高清视频解码和图形处理。尽管目前主流已被 DDR3、DDR4 和 DDR5 取代，但 DDR2 仍在一些老旧设备维护、工业升级项目及成本敏感型嵌入式设计中继续服役，尤其在不需要极高带宽但要求兼容性和可靠性的场合仍具价值。

MT47H64M16
　　MT47H32M16
　　IS43TR16256AL