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H5GQ8H24MJR-R4C 发布时间 时间:2025/9/2 9:17:15 查看 阅读:14

H5GQ8H24MJR-R4C 是由SK Hynix生产的一款高密度、高性能的DRAM(动态随机存取存储器)芯片。该芯片属于移动LPDDR4X SDRAM类别,主要用于高要求的便携式电子设备,例如智能手机、平板电脑以及嵌入式系统等。H5GQ8H24MJR-R4C 提供了高速数据传输能力,同时保持了较低的功耗特性,使其成为现代移动设备的理想选择。

参数

容量:8GB (64Gbit)
  类型:LPDDR4X SDRAM
  封装:BGA
  电压:1.1V
  数据速率:4266Mbps
  位宽:8
  工作温度:-40°C 至 +85°C

特性

H5GQ8H24MJR-R4C 的主要特性之一是其采用了LPDDR4X技术,这使得芯片能够在保持较高数据传输速率的同时,显著降低功耗。该芯片的数据传输速率为4266Mbps,支持高带宽应用需求。此外,其工作电压为1.1V,相比早期的LPDDR4技术,进一步提高了能效。
  这款DRAM芯片还采用了先进的制造工艺,提供了高密度存储能力,单颗芯片容量可达8GB(64Gbit)。这种高密度设计有助于减少设备中所需的内存芯片数量,从而节省空间并简化电路板布局。
  H5GQ8H24MJR-R4C 采用了BGA(球栅阵列)封装技术,这种封装方式具有良好的电气性能和散热能力,能够确保芯片在高负载条件下稳定运行。此外,芯片支持宽温度范围(-40°C至+85°C),适用于各种环境条件下的设备应用。
  该芯片还具备出色的可靠性,支持ECC(错误检查和纠正)功能,能够有效防止数据损坏,提高系统的稳定性。这种可靠性特性对于高端移动设备和嵌入式系统尤为重要。

应用

H5GQ8H24MJR-R4C 主要应用于需要高性能和低功耗内存的便携式电子设备。这些设备包括但不限于高端智能手机、平板电脑、便携式游戏设备、车载信息娱乐系统以及工业级嵌入式系统。由于其高速数据传输能力和低功耗特性,它也适用于需要大量数据处理能力的应用场景,如高清视频播放、多任务处理和高性能计算等。
  在智能手机领域,H5GQ8H24MJR-R4C 可以作为主内存使用,为操作系统和应用程序提供快速的数据访问速度,从而提升整体用户体验。在平板电脑和便携式游戏设备中,该芯片可以支持流畅的图形渲染和多任务处理,满足高要求的游戏和多媒体应用需求。
  在工业和汽车电子领域,该芯片的宽温度范围和高可靠性特性使其成为车载导航系统、工业控制设备以及智能监控系统的理想选择。此外,它还可以用于高性能计算设备和服务器模块,提供高速内存支持。

替代型号

H5GQ8H24ASJR-R4C, H5GQ8H24BJR-R4C

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