32D431K 时间：2025/12/28 19:00:10 阅读：11

32D431K 是一款由 Vishay Semiconductors 推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高功率开关和功率管理应用。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）和高耐压能力，能够在较高的工作温度下稳定运行，广泛用于电源转换器、电机驱动、电池管理系统和工业自动化设备等领域。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏极-源极电压(Vds)：100V
　　栅极-源极电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：190A（在Tc=25°C）
　　功耗(Pd)：250W
　　导通电阻(Rds(on))：最大值 0.8mΩ（在Vgs=10V）
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：TO-263（D2PAK）

特性

32D431K 的主要特性包括其低导通电阻，有助于降低导通损耗，提高电源效率。该器件采用先进的沟槽式功率 MOSFET 技术制造，确保了卓越的热稳定性和电流承载能力。此外，它具有较高的雪崩能量承受能力，提升了器件在瞬态过压情况下的可靠性。TO-263 表面贴装封装形式不仅便于自动化装配，还具备良好的热管理性能，适合高功率密度设计。该 MOSFET 还具备快速开关特性，适用于高频开关应用，有助于减小外部滤波元件的尺寸。此外，其高栅极绝缘性能确保在恶劣工作环境下依然保持稳定运行。
　　在应用中，32D431K 可用于 DC-DC 转换器、同步整流器、H 桥驱动器和负载开关等场景。其高耐压能力和大电流能力使其成为工业电源、服务器电源、电动工具和电池管理系统中的理想选择。