类型：N沟道
　　极性：增强型
　　漏源电压(Vdss)：60V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：1.8A
　　脉冲漏极电流(Idp)：7.2A
　　功耗(Pd)：500mW
　　导通电阻(Rds on)：40mΩ
　　阈值电压(Vgs(th))：1V ~ 2.5V
　　输入电容(Ciss)：350pF
　　输出电容(Coss)：150pF
　　反向传输电容(Crss)：50pF
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装/外壳：SOT-23

DMN6040SK3具备出色的导通特性与开关性能，其最大漏源电压可达60V，能够满足中低压功率应用的需求。该器件的关键优势之一是极低的导通电阻（Rds(on)），典型值仅为40mΩ，在Vgs=10V条件下可显著降低导通损耗，提高系统整体效率。这对于电池供电设备尤为重要，因为更低的功耗意味着更长的续航时间。同时，该MOSFET的栅极阈值电压较低，通常在1V至2.5V之间，使其能够兼容3.3V或5V逻辑电平直接驱动，无需额外的电平转换电路，简化了设计复杂度并减少了外围元件数量。
　　该器件采用SOT-23封装，尺寸紧凑，便于在高密度PCB布局中使用。尽管封装小巧，但其热性能经过优化，能够在有限的空间内有效散热，支持持续1.8A的漏极电流和高达7.2A的脉冲电流，适用于短时高峰值负载场合。此外，输入电容、输出电容和反向传输电容均保持在较低水平，有助于减少开关过程中的能量损耗，提升高频开关应用中的响应速度与效率。
　　DMN6040SK3还具备良好的抗雪崩能力和稳健的栅氧层设计，增强了器件在瞬态过压和静电放电（ESD）情况下的耐受能力。其工作结温范围达到+150°C，保证了在高温环境下仍能稳定运行。所有这些特性使得该MOSFET不仅适用于常规电源管理，还可用于电机控制、LED驱动、热插拔控制器和H桥驱动等对可靠性和响应速度要求较高的场景。

DMN6040SK3广泛应用于各类中小功率电子系统中，特别是在便携式设备和嵌入式控制系统中表现突出。常见用途包括移动电源、智能手机和平板电脑中的负载开关与电源路径管理；在DC-DC buck或boost转换器中作为同步整流开关，以提高转换效率；也可用于驱动小型直流电机、继电器或LED照明模块，实现精确的通断控制。此外，该器件适用于热插拔电路设计，能够在不断电的情况下安全接入或移除子系统模块，防止电流冲击损坏主电源。在工业控制领域，它可用于PLC输入输出模块、传感器供电控制以及低功耗仪表设备中。由于其良好的高频响应特性，也常被选用于开关电源（SMPS）中的次级侧同步整流环节，替代传统肖特基二极管以降低压降和发热。总之，凡是对空间、效率和可靠性有较高要求的低压功率开关应用，DMN6040SK3都是一个理想的选择。

DMG2305U\DMN6170L\AO3400\SI2302DS\FDD8882