320N20N 是一款基于硅材料设计的 N 沒道型功率场效应晶体管(N-Channel MOSFET),主要用于开关和放大应用。该器件具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力,适合在高效率、高频应用场景中使用。
这款功率 MOSFET 常被用于电源管理模块、电机驱动器、DC-DC 转换器以及各种工业控制领域。其封装形式一般为 TO-220 或其他表面贴装类型,便于散热管理和自动化生产。
最大漏源电压:200V
最大栅源电压:±20V
最大漏极电流:32A
导通电阻:0.18Ω
功耗:400W
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
320N20N 具有以下显著特点:
1. 高耐压能力:可以承受高达 200V 的漏源电压,适用于高压环境下的电路设计。
2. 大电流支持:峰值漏极电流可达 32A,满足大功率负载的需求。
3. 较低的导通电阻:典型值为 0.18Ω,能够减少导通时的能量损耗,提高整体效率。
4. 快速开关性能:具备快速的开关速度,适合高频应用场合。
5. 稳定性:能够在较宽的工作温度范围内稳定运行,适应极端环境条件。
该型号的 MOSFET 广泛应用于多个领域:
1. 开关电源(SMPS):包括 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 电机驱动:用于小型至中型电机的启动和调速控制。
3. 工业设备:如焊接机、逆变器等需要高效功率控制的地方。
4. 电池管理系统(BMS):保护电路中的充放电控制。
5. 照明系统:例如 LED 驱动电路中的开关元件。
IRF3205
STP32NF20
FDP320N20S