H26M64208EMRN 时间：2025/9/2 1:35:13 阅读：5

H26M64208EMRN 是一款由Hynix（现为SK Hynix）生产的DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该芯片属于异步DRAM类型，通常用于需要中等容量内存的应用场合。这款DRAM芯片采用TSOP（薄型小外形封装）封装，具有较高的可靠性和较低的功耗，适用于消费电子、工业控制、通信设备等领域。

参数

型号：H26M64208EMRN
　　存储容量：64Mbit（8MB）
　　组织方式：x8
　　电源电压：3.3V
　　封装类型：TSOP
　　引脚数：54
　　工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
　　访问时间：5.4ns（最大）
　　刷新周期：64ms
　　数据保持电压：2.0V至3.6V

特性

H26M64208EMRN 具有低功耗和高性能的特点，适用于多种应用场景。其3.3V电源电压设计使其能够在大多数嵌入式系统中使用，同时具备良好的电源效率。该芯片支持自动刷新和自刷新功能，能够在不频繁访问的情况下保持数据完整性，从而降低功耗。
　　此外，H26M64208EMRN 采用TSOP封装，具有较小的封装体积和较高的散热效率，适用于空间受限的设计。其54引脚的封装方式使得PCB布局更加方便，减少了信号干扰的可能性。
　　在性能方面，H26M64208EMRN 的访问时间仅为5.4ns，确保了快速的数据读写能力，适用于需要高速数据处理的系统。其64ms的刷新周期也能够满足大多数应用的需求，避免了频繁的刷新操作对系统性能的影响。
　　最后，H26M64208EMRN 的工业级工作温度范围（-40°C至+85°C）使其能够在恶劣的环境条件下稳定运行，适用于工业自动化、通信设备、安防系统等要求较高的应用场景。

应用

H26M64208EMRN 主要应用于需要中等容量内存的嵌入式系统和电子设备中。常见的应用包括工业控制设备、通信模块、安防监控设备、消费电子产品（如数码相机、多媒体播放器）以及测试测量仪器等。
　　在工业控制领域，该芯片可用于存储实时数据和程序代码，支持工业自动化系统的高效运行。在通信设备中，H26M64208EMRN 可作为高速缓存或数据缓冲器，提高数据传输效率。
　　在消费电子产品中，该芯片能够为图像处理、音频播放等功能提供足够的内存支持，提升用户体验。此外，在测试测量仪器中，该芯片可用于存储测试数据和校准参数，确保设备的精确性和稳定性。
　　由于其TSOP封装和工业级工作温度范围，H26M64208EMRN 也广泛应用于需要高可靠性和稳定性的汽车电子系统和智能仪表中。