类型：双共阴极肖特基二极管
　　最大重复反向电压（VRRM）：30V
　　平均整流电流（IO）：30A（每芯片）
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：150A（8.3ms单半波）
　　正向压降（VF）：典型值0.52V（在15A, 25°C时），最大约0.62V（在30A, 125°C时）
　　反向漏电流（IR）：最大1.0mA（在30V, 25°C时），高温下可能上升至10mA（30V, 125°C）
　　工作结温范围（TJ）：-65°C 至 +175°C
　　存储温度范围（TSTG）：-65°C 至 +175°C
　　热阻（RθJC）：约1.0°C/W（典型值）
　　封装形式：TO-220AB 或 I2PAK 类似封装

30L30CT-1的核心优势在于其采用肖特基势垒技术，实现了极低的正向导通压降，显著降低了导通损耗，尤其适用于低压大电流输出的开关电源设计中。由于没有PN结的少数载流子存储效应，该器件具备极快的开关速度，反向恢复时间几乎可以忽略，从而大幅减少了开关过程中的能量损耗，并抑制了电磁干扰（EMI）的产生。这种快速响应能力使其非常适合高频DC-DC变换器拓扑，如同步整流、Buck、Boost和LLC谐振转换器等。
　　该器件内部集成了两个独立的肖特基二极管，共用阴极连接，便于在中心抽头式整流电路或双路同步整流结构中使用。其高电流承载能力（每管芯30A）结合优良的热传导性能，可在紧凑空间内实现高效能输出。此外，宽泛的工作结温范围（最高达175°C）增强了其在恶劣环境下的可靠性，适用于工业级和汽车级应用。
　　封装方面，TO-220AB结构提供了良好的机械强度和散热路径，可通过散热片进一步增强热管理能力。器件还具备一定的抗浪涌能力，能承受短时高峰值电流冲击，提高了系统在启动或异常工况下的稳定性。但需注意的是，肖特基二极管的反向漏电流随温度升高而显著增加，在高温环境下设计时应充分评估漏电流对功耗和系统效率的影响。同时，其较低的反向耐压限制了其仅适用于30V以下的低压整流场景。

30L30CT-1广泛应用于各类需要高效低压大电流整流的电源系统中。典型应用场景包括通信电源、服务器电源模块、DC-DC降压/升压转换器、太阳能逆变器、电动汽车车载充电机（OBC）以及工业电机驱动器中的续流与箝位电路。在这些系统中，该器件常被用作次级侧整流元件，替代传统快恢复二极管以提升整体效率。
　　在笔记本电脑、台式机和高端显卡的VRM（电压调节模块）中，30L30CT-1可用于辅助整流或同步整流架构中的体二极管旁路功能，帮助降低导通损耗，提高动态响应能力。此外，在电池管理系统（BMS）和不间断电源（UPS）中，该器件可作为防反接保护和能量回馈路径的关键组件。
　　由于其双共阴极结构，特别适合用于中心抽头变压器的全波整流电路，例如在离线式反激或正激电源中实现高效的次级整流。在LED驱动电源和大功率照明系统中，也可利用其低VF特性减少发热，延长系统寿命。此外，该器件还可用于电机驱动H桥电路中的续流二极管，提供可靠的换向路径，防止感性负载产生的反电动势损坏主开关器件。

SB3030CT