类型：肖特基势垒二极管
　　极性：单体二极管
　　封装：SOD-123
　　最大重复反向电压（VRRM）：20V
　　最大直流反向电压（VR）：20V
　　平均整流电流（IO）：1A
　　峰值浪涌电流（IFSM）：30A
　　正向电压降（VF）：典型值0.35V（在1A时），最大值0.5V（在1A时）
　　反向漏电流（IR）：最大10μA（在20V、25°C下）
　　工作结温范围（TJ）：-65°C 至 +125°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　热阻（RθJA）：约200°C/W
　　反向恢复时间（trr）：≤10ns

B120肖特基二极管的核心优势在于其低正向导通压降与快速开关响应能力。这种二极管采用金属-半导体结结构，而非传统的PN结，因此在导通时的能量损耗显著低于普通整流二极管。在1A的工作电流下，其正向压降仅为0.35V左右，最高不超过0.5V，这意味着在相同负载条件下，发热量更小，系统效率更高。这一特性使其特别适用于电池供电设备或对能效敏感的应用，例如移动电源、便携式仪器和嵌入式控制系统。此外，由于没有少子存储效应，B120的反向恢复时间极短，通常小于10纳秒，这使得它能够在高频开关环境中稳定工作，有效减少开关过程中的能量损失和电磁干扰。
　　另一个重要特性是其良好的热性能和稳定性。尽管采用小型SOD-123封装，B120仍能在-65°C至+125°C的结温范围内可靠运行，适用于多种环境条件下的应用。其热阻约为200°C/W，在合理布局PCB散热路径的情况下，即使在持续1A电流负载下也能维持安全工作温度。此外，器件具备一定的浪涌电流承受能力，峰值可达30A，短暂过载情况下不易损坏，增强了系统的鲁棒性。B120还具有较低的反向漏电流，在25°C时最大为10μA，虽然随着温度升高漏电流会增加，但在常规工作温度范围内仍处于可接受水平。综合来看，B120凭借其高效、紧凑和可靠的特性，成为现代电子设计中不可或缺的基础元件之一。

B120肖特基二极管广泛应用于各类低电压、高效率的电力电子电路中。最常见的用途是在DC-DC转换器中作为续流二极管或箝位二极管，利用其低正向压降和快速恢复特性来提高整体转换效率，尤其是在升压（Boost）、降压（Buck）和反激式（Flyback）拓扑结构中表现突出。此外，它也常用于电源极性反接保护电路，防止因电池或外部电源接反而导致后级电路损坏，因其低压降特性不会显著影响主电源路径的效率。在AC-DC适配器、USB充电模块、LED驱动电源等消费类电子产品中，B120用于次级侧整流环节，替代传统快恢复二极管以提升轻载效率。它还适用于信号隔离、电压采样保持电路以及钳位保护网络中，发挥其快速响应和低噪声的优势。在通信设备如路由器、交换机的板级电源管理单元中，B120帮助实现多路供电的隔离与切换。工业控制领域的传感器供电、PLC输入接口和电机驱动电路也普遍采用该型号进行防倒灌处理。得益于SOD-123小型封装，B120非常适合空间受限的高密度PCB布局，同时支持自动化贴片生产，满足大批量制造的需求。

SS120
　　MBR120
　　RB120M
　　SB120