30KPA36A 时间：2025/12/28 18:59:59 阅读：11

30KPA36A 是一款由STMicroelectronics（意法半导体）制造的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高电流、高功率的开关应用。该器件采用了先进的技术，能够在相对较低的导通电阻下提供较高的电流承载能力，从而减少功率损耗并提高系统效率。该MOSFET通常用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制、电池充电器和各种工业自动化设备中。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：60V
　　最大漏极电流(Id)：30A（在Tc=25°C时）
　　导通电阻(Rds(on))：典型值为40mΩ（在Vgs=10V时）
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　工作温度范围：-55°C至+175°C
　　封装类型：TO-220
　　功率耗散(Pd)：160W（在Tc=25°C时）
　　漏极-源极击穿电压(BR)Vds：60V
　　阈值电压(Vgs(th))：2V至4V（在Id=250μA时）

特性

30KPA36A MOSFET具有多项显著特性，适用于高性能功率管理应用。首先，其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通状态下的功率损耗，提高系统效率。该器件能够在高电流条件下稳定工作，最大漏极电流可达30A，适用于高功率密度设计。此外，其高耐压能力（60V Vds）使其适用于多种中高压电源转换应用。该MOSFET采用TO-220封装，具有良好的散热性能，能够在较高温度环境下稳定运行。其宽温度范围（-55°C至+175°C）确保了在各种工业和汽车应用中的可靠性。此外，其栅极驱动电压范围较宽（±20V），便于与多种驱动电路兼容。该器件还具备良好的短路耐受能力，提高了系统在异常工作条件下的稳定性。

应用

30KPA36A MOSFET广泛应用于各种高功率电子设备和系统中。其主要应用包括电源管理模块、DC-DC转换器、同步整流器、电机控制电路、电池管理系统（BMS）、不间断电源（UPS）以及工业自动化设备中的功率开关。此外，该器件也适用于电动车、太阳能逆变器、储能系统等新能源领域的功率控制模块。由于其高电流承载能力和低导通损耗，30KPA36A也常用于高性能开关电源（SMPS）设计中，以提高转换效率并减少热量产生。