时间：2025/8/7 2:13:52
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QRF0640T30是一款由Qorvo公司生产的射频功率晶体管，专为高频率和高功率应用设计。该器件基于硅基横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）技术，适用于无线基础设施、广播、工业和医疗设备等领域的射频功率放大器设计。QRF0640T30能够在30 MHz至6000 MHz的频率范围内工作，具有较高的线性度和效率，适合用于多频段和宽带应用。
类型：射频功率晶体管
技术：LDMOS
频率范围：30 MHz至6000 MHz
最大漏极电流：10 A
最大漏极电压：65 V
工作温度范围：-65°C至+150°C
封装类型：陶瓷金属封装
最大耗散功率：640 W
QRF0640T30具有多种优良的性能特性，包括宽频率覆盖范围、高功率增益和优异的热稳定性。其LDMOS技术使得该器件在高频率下依然保持较高的效率和线性度，适用于复杂调制信号的放大。此外，QRF0640T30的封装设计提供了良好的散热性能，确保器件在高功率工作条件下仍能保持稳定运行。该器件的高可靠性设计也使其适用于要求苛刻的工业和通信应用。
QRF0640T30还具备优异的抗失真能力和高耐用性，使其在多频段和宽带应用中表现出色。其宽频率范围和高输出功率能力使其成为射频功率放大器的理想选择，尤其适用于基站、广播设备和测试仪器等应用场景。
QRF0640T30主要用于无线通信基础设施、广播设备、工业和医疗设备中的射频功率放大器设计。其宽频率范围和高功率输出能力也使其适用于测试设备和多频段通信系统。
QRF1640T30, QRF2640T30
