时间：2025/12/28 20:11:45
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30KPA108A 是一款由 Microchip Technology 生产的高电压、高电流功率MOSFET晶体管，广泛用于需要高效能功率控制的应用中。该器件采用了先进的平面MOSFET技术，提供了卓越的导通性能和热稳定性。它具有坚固的封装结构，适用于工业控制、电源转换、电机驱动以及高功率开关应用。30KPA108A 的设计确保了在高温和高负载条件下仍能保持稳定的工作状态。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：100V
连续漏极电流（Id）：30A
脉冲漏极电流（Idm）：120A
功耗（Ptot）：250W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
栅极阈值电压（Vgs(th)）：4V @ 250μA
导通电阻（Rds(on)）：约0.043Ω（典型值）@ Vgs=10V
封装类型：TO-247
技术：平面MOSFET
30KPA108A MOSFET 具有多个关键特性，使其在高功率应用中表现出色。
首先，其最大漏源电压（Vds）为100V，能够承受较高的电压应力，适用于多种中高功率电源系统。漏极电流能力高达30A，且脉冲电流可达120A，表明该器件在瞬态负载条件下也能提供优异的性能。
其次，该MOSFET的导通电阻（Rds(on)）约为0.043Ω，这一低值有助于减少导通损耗，提高能效，降低工作温度。同时，其最大功耗为250W，具备良好的热管理能力，适用于高负载环境。
栅极阈值电压（Vgs(th)）为4V，属于标准逻辑电平驱动范围，这意味着它可以与常见的控制器或驱动器兼容，简化电路设计。此外，其TO-247封装形式提供了良好的散热性能，并增强了机械强度，适合工业级应用。
该器件的结温范围从-55°C到+175°C，适应了极端环境条件，确保了在高温下仍能稳定运行。整体来看，30KPA108A 是一款性能优异、可靠性高的功率MOSFET，适用于各种高功率密度和高效率要求的设计。
30KPA108A MOSFET 被广泛应用于多种高功率电子系统中。在电源转换器和开关电源（SMPS）设计中，该器件用于实现高效率的直流-直流（DC-DC）和交流-直流（AC-DC）转换。其低导通电阻和高电流能力使其成为高功率负载管理的理想选择。
在电机驱动和功率放大器中，30KPA108A 可以作为功率开关使用，提供快速的开关速度和较低的开关损耗，从而提升整体系统效率。此外，该器件在电动汽车（EV）充电系统、太阳能逆变器和不间断电源（UPS）中也具有广泛的应用前景。
由于其高可靠性和宽工作温度范围，30KPA108A 还被用于工业自动化设备、高功率LED驱动器和电焊机等工业控制领域。总体而言，该器件适用于所有需要高电流、高电压和高效率的功率控制场景。
IXTA30N100P、FDPF30N100KS、STP30NF10、IRFZ44N、SiHF10N50E
