时间：2025/12/26 19:46:00
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30CTQ045STRRPBF 是一款由 ON Semiconductor 生产的肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode），采用中心抽头配置，专为高频、高效率整流应用设计。该器件属于通孔安装类型，封装形式为 TO-277，适用于需要低正向压降和快速开关性能的电源系统。其双二极管结构带有中心抽头，使其特别适合全波整流电路，在不使用四个独立二极管的情况下简化了电路布局并减少了寄生参数。该器件广泛应用于开关模式电源（SMPS）、DC-DC 转换器、逆变器以及电池充电系统中。
30CTQ045STRRPBF 的最大重复峰值反向电压（VRRM）为 45V，确保其在低压大电流场景下具有良好的耐压能力。其平均整流电流可达 30A，能够满足高功率密度设计的需求。由于采用了肖特基势垒技术，该器件没有少数载流子存储效应，因此在关断过程中几乎没有反向恢复时间（trr），大幅降低了开关损耗，提高了整体系统的能效。此外，该器件符合 RoHS 标准，无铅且环保，适用于现代绿色电子产品的制造要求。
型号：30CTQ045STRRPBF
制造商：ON Semiconductor
器件类型：肖特基二极管阵列（中心抽头）
最大重复峰值反向电压 VRRM：45V
最大直流阻断电压 VR：45V
平均整流电流 IO：30A
峰值正向浪涌电流 IFSM：150A
最大正向压降 VF @ IF=30A：0.57V @ 150°C
工作结温范围：-65°C 至 +150°C
存储温度范围：-65°C 至 +150°C
封装/包装：TO-277
安装类型：表面贴装（SMD）
是否符合RoHS：是
30CTQ045STRRPBF 的核心优势在于其基于肖特基势垒原理的设计，使其具备极低的正向导通压降和超快的开关响应速度。与传统的 PN 结二极管相比，肖特基二极管利用金属-半导体接触形成势垒，避免了 PN 结中常见的少数载流子注入与复合过程，从而消除了反向恢复电荷（Qrr）和显著缩短了反向恢复时间（trr）。这一特性使得该器件在高频开关环境中表现出色，能够有效减少开关损耗、降低电磁干扰（EMI），并提升电源转换效率。尤其在 DC-DC 降压或升压转换器中，作为输出整流或续流二极管使用时，其低 VF 可明显减少导通损耗，提高系统热稳定性。
该器件采用 TO-277 封装，具有优良的散热性能和机械强度，适合自动化贴片生产流程。中心抽头结构允许其实现全波整流功能，仅需两个外部连接点即可完成传统桥式整流的功能，节省 PCB 面积并简化布线复杂度。同时，其高达 30A 的平均整流电流能力支持大功率负载需求，适用于服务器电源、通信设备电源模块等高性能应用场景。此外，该器件可在 -65°C 到 +150°C 的宽温度范围内稳定工作，展现出优异的环境适应性。内置的热保护机制和高浪涌电流承受能力（150A）进一步增强了其在瞬态过载条件下的可靠性。总体而言，30CTQ045STRRPBF 凭借其高效、紧凑、可靠的特性，成为现代高密度电源设计中的理想选择。
30CTQ045STRRPBF 主要用于需要高效能整流的电力电子系统中，尤其是在高频开关电源领域表现突出。它常见于隔离型和非隔离型 DC-DC 转换器中，作为次级侧同步整流的替代方案或辅助整流元件，帮助提升整体转换效率。由于其低正向压降和快速响应特性，非常适合用于笔记本电脑适配器、LED 驱动电源、电信整流模块以及工业控制电源等对能效要求较高的设备。此外，在 UPS（不间断电源）、太阳能逆变器和电机驱动器中，该器件也常被用作续流二极管或防反接保护元件，以确保能量回馈路径的畅通并防止电压反冲损坏主控芯片。
在电池管理系统（BMS）和多节锂电池充电电路中，30CTQ045STRRPBF 可用于防止电流倒灌，保障充电安全。其高浪涌电流能力使其能够承受启动瞬间的大电流冲击，适用于电机启动或电容充电类应用。由于其符合 RoHS 和无卤素标准，因此也被广泛应用于消费类电子产品和绿色能源项目中。另外，在车载电子系统中，如车载充电机（OBC）或 DC-DC 变换器中，该器件也能胜任低压大电流整流任务，提供稳定的电源管理支持。
MBR3045CTG
FST3045CT
