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BU810 发布时间 时间:2022/11/21 17:14:24 查看 阅读:691

    制造商: STMicroelectronics

    产品种类: 达林顿晶体管

    配置: Single

    晶体管极性: NPN

    封装 / 箱体: TO-220AB

  

目录

概述

    制造商: STMicroelectronics

    产品种类: 达林顿晶体管

    配置: Single

    晶体管极性: NPN

    封装 / 箱体: TO-220AB

    集电极—发射极最大电压 VCEO: 400 V

    发射极 - 基极电压 VEBO: 5 V

    集电极—基极电压 VCBO: 600 V

    峰值直流集电极电流: 7 A

    功率耗散: 75 W

    最大工作温度: + 150 C

    封装: Tube

    集电极连续电流: 7 A


资料

厂商
STMICROELECTRONICS

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BU810参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN - 达林顿
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)7A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)400V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)3V @ 700mA,7A
  • 电流 - 集电极截止(最大)1mA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)-
  • 功率 - 最大75W
  • 频率 - 转换-
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220AB
  • 包装管件
  • 其它名称497-7198-5BU810-ND