BU810
时间:2022/11/21 17:14:24
阅读:691
制造商: STMicroelectronics
产品种类: 达林顿晶体管
配置: Single
晶体管极性: NPN
封装 / 箱体: TO-220AB
概述
制造商: STMicroelectronics
产品种类: 达林顿晶体管
配置: Single
晶体管极性: NPN
封装 / 箱体: TO-220AB
集电极—发射极最大电压 VCEO: 400 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 5 V
集电极—基极电压 VCBO: 600 V
峰值直流集电极电流: 7 A
功率耗散: 75 W
最大工作温度: + 150 C
封装: Tube
集电极连续电流: 7 A
BU810资料
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BU810参数
- 标准包装50
- 类别分离式半导体产品
- 家庭晶体管(BJT) - 单路
- 系列-
- 晶体管类型NPN - 达林顿
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大)7A
- 电压 - 集电极发射极击穿(最大)400V
- Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)3V @ 700mA,7A
- 电流 - 集电极截止(最大)1mA
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)-
- 功率 - 最大75W
- 频率 - 转换-
- 安装类型通孔
- 封装/外壳TO-220-3
- 供应商设备封装TO-220AB
- 包装管件
- 其它名称497-7198-5BU810-ND