时间：2025/9/2 16:00:40
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JX2N5404 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛用于电源管理和开关电路中。它由江苏长电科技（JX）生产，具备较高的耐压能力和较低的导通电阻，适用于各类功率转换和控制应用。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏极电流（ID）：20A
漏源击穿电压（VDS）：100V
栅源击穿电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：≤ 0.065Ω
功率耗散（PD）：83W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：TO-220、TO-252 等
JX2N5404 具备优异的导通性能和开关特性，能够在高频和高电流环境下稳定工作。其低导通电阻有助于降低功率损耗，提高系统效率。同时，该器件具有良好的热稳定性和过载能力，适用于各种高可靠性应用场景。
该 MOSFET 的栅极驱动电压范围较宽，兼容常见的 10V 和 12V 驱动电路，便于与控制器或驱动 IC 配合使用。此外，其封装设计有利于散热，适用于连续工作状态下的高功率应用。
在制造工艺上，JX2N5404 采用先进的平面工艺和封装技术，确保了器件的长期稳定性和抗干扰能力。它在开关电源、DC-DC 转换器、电机控制、逆变器等电路中表现出色。
JX2N5404 主要用于电源管理、功率开关、DC-DC 转换器、UPS 电源、电动车控制器、LED 驱动电路、电机控制模块以及工业自动化设备中的功率控制部分。
IRF540N, FDP5404, STP55NF06, FQP50N06
