您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > JX2N5404

JX2N5404 发布时间 时间:2025/9/2 16:00:40 查看 阅读:5

JX2N5404 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,广泛用于电源管理和开关电路中。它由江苏长电科技(JX)生产,具备较高的耐压能力和较低的导通电阻,适用于各类功率转换和控制应用。

参数

类型:N 沟道增强型 MOSFET
  漏极电流(ID):20A
  漏源击穿电压(VDS):100V
  栅源击穿电压(VGS):±20V
  导通电阻(RDS(on)):≤ 0.065Ω
  功率耗散(PD):83W
  工作温度范围:-55°C ~ +150°C
  封装形式:TO-220、TO-252 等

特性

JX2N5404 具备优异的导通性能和开关特性,能够在高频和高电流环境下稳定工作。其低导通电阻有助于降低功率损耗,提高系统效率。同时,该器件具有良好的热稳定性和过载能力,适用于各种高可靠性应用场景。
  该 MOSFET 的栅极驱动电压范围较宽,兼容常见的 10V 和 12V 驱动电路,便于与控制器或驱动 IC 配合使用。此外,其封装设计有利于散热,适用于连续工作状态下的高功率应用。
  在制造工艺上,JX2N5404 采用先进的平面工艺和封装技术,确保了器件的长期稳定性和抗干扰能力。它在开关电源、DC-DC 转换器、电机控制、逆变器等电路中表现出色。

应用

JX2N5404 主要用于电源管理、功率开关、DC-DC 转换器、UPS 电源、电动车控制器、LED 驱动电路、电机控制模块以及工业自动化设备中的功率控制部分。

替代型号

IRF540N, FDP5404, STP55NF06, FQP50N06

JX2N5404推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价