器件类型：肖特基二极管
　　配置：双二极管（中心抽头）
　　最大重复反向电压（VRRM）：35V
　　最大平均整流电流（IF(AV)）：30A
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：150A
　　最大正向电压降（VF）：0.57V @ 15A, Tc=25°C
　　最大反向漏电流（IR）：0.5mA @ 35V, Tc=25°C
　　工作结温范围（TJ）：-65°C 至 +150°C
　　存储温度范围（TSTG）：-65°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-277
　　安装类型：表面贴装（SMT）
　　引脚数：3
　　是否无铅：是
　　符合标准：RoHS, AEC-Q101（部分等级）

30CTQ035STRLPBF的核心优势在于其采用先进的肖特基势垒技术，实现了极低的正向导通压降与快速的开关响应速度。这种结构避免了传统PN结二极管中的少数载流子储存效应，从而显著降低了开关过程中的能量损耗，提升了整体电源转换效率。在高频开关电源应用中，这一特性尤为重要，因为它可以有效减少热积累，提高系统的功率密度。同时，该器件的正向压降仅为0.57V左右（在15A、25°C条件下测量），远低于普通硅整流二极管的典型值（约0.7~1.0V），这意味着在相同电流下其导通损耗更小，有助于延长设备使用寿命并降低冷却需求。
　　该二极管具备高达30A的平均整流电流能力，并支持最高150A的峰值浪涌电流，使其能够应对瞬态负载变化或启动冲击电流，适用于严苛的工作环境。其TO-277封装不仅体积小巧，还具备优良的热传导性能，可通过PCB焊盘将热量迅速散发，进一步增强热管理能力。此外，该封装设计兼容自动贴片工艺，有利于大规模生产中的良率控制与成本优化。
　　30CTQ035STRLPBF的工作结温范围宽达-65°C至+150°C，表明其可在极端高低温环境中稳定运行，适用于工业控制、车载电子及户外通信设备等对环境适应性要求高的场景。器件的反向漏电流在常温下不超过0.5mA，在高温条件下虽有所上升，但仍处于可控范围内，不会显著影响系统效率。得益于ON Semiconductor严格的质量管理体系，该产品具有优异的批次一致性与长期可靠性，支持客户进行长期项目规划与供应链管理。

30CTQ035STRLPBF广泛用于各类高效率直流电源系统中，尤其是在需要大电流输出和高转换效率的应用场合。典型应用场景包括服务器电源、台式机ATX电源、笔记本适配器、电信整流模块等开关模式电源（SMPS）系统中的次级侧整流环节。由于其低正向压降特性，它能显著降低同步整流以外的导通损耗，提升整体能效，尤其适用于非隔离式DC-DC降压或升压转换器的续流路径。
　　在光伏逆变器和UPS不间断电源系统中，该器件可用于防止电池反向放电或作为保护二极管使用，提供可靠的电流单向导通功能。其快速恢复特性也使其适合用于高频逆变电路中的箝位与能量回馈回路，抑制电压尖峰并保护主开关器件（如MOSFET或IGBT）。
　　在工业电机驱动器和电动工具电源中，30CTQ035STRLPBF可用于H桥电路中的续流二极管，确保感性负载断电时的能量安全释放，避免高压击穿。此外，由于其符合RoHS和AEC-Q101标准的部分等级，该器件也可应用于汽车电子系统，例如车载充电器（OBC）、DC-DC转换模块以及辅助电源单元，在高温高湿环境下依然保持良好性能。
　　对于便携式医疗设备、LED照明驱动电源等对空间和效率敏感的产品，该器件的小型化封装和高效特性同样具有吸引力。总之，凡是需要高效、可靠、大电流整流功能的电子系统，都是30CTQ035STRLPBF的理想应用领域。

SBT3045PVHM
　　MBR30H35CT
　　SS335-SMC
　　DSEI30-035A