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SI5418DU-T1-GE3 发布时间 时间:2025/5/12 19:24:02 查看 阅读:9

SI5418DU-T1-GE3 是一款由 Silicon Labs 提供的高性能、低抖动振荡器 (XO),属于 SI54x 系列。该器件支持广泛的频率范围,具备高精度和出色的频率稳定性,专为需要严格时钟同步的应用设计。其采用紧凑型封装,适合空间受限的设计环境。
  SI5418 支持工业温度范围 (-40°C 至 +85°C),能够满足苛刻工作条件下的性能要求。

参数

型号:SI5418DU-T1-GE3
  品牌:Silicon Labs
  类型:晶体振荡器 (XO)
  输出频率范围:1MHz 至 114.285MHz
  电源电压:2.7V 至 3.63V
  功耗:约 9mA(典型值)
  频率稳定性:±20ppm(典型值)
  相位抖动:小于 1ps RMS(典型值)
  封装形式:3.2mm x 2.5mm
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C

特性

SI5418DU-T1-GE3 的主要特点包括:
  1. 超低相位抖动,确保在高速数据传输应用中的优异性能。
  2. 宽频率范围覆盖,便于灵活配置系统时钟需求。
  3. 小型化封装设计,适用于对空间有严格要求的设备。
  4. 高可靠性与稳定性,在宽温度范围内提供一致的性能表现。
  5. 内部集成 PLL 和 VCXO 功能,简化了外部电路设计并降低了 BOM 成本。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且易于通过认证流程。

应用

SI5418DU-T1-GE3 广泛应用于以下领域:
  1. 数据通信与电信设备,如交换机、路由器和光模块。
  2. 嵌入式计算平台,例如工业 PC 和 IoT 网关。
  3. 存储设备与时钟同步系统。
  4. 医疗仪器、测试测量设备和其他需要精准时钟源的场景。
  5. 视频处理和广播设备,确保高质量信号传输。
  由于其低抖动特性和灵活性,SI5418 成为许多高性能系统的理想选择。

替代型号

SI5416DU-T1-GE3, SI5428BU-T1-GE3, SI5448BU-T1-GE3

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SI5418DU-T1-GE3参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C12A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C14.5 毫欧 @ 7.7A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs30nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1350pF @ 15V
  • 功率 - 最大31W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳PowerPAK? CHIPFET? 单
  • 供应商设备封装PowerPAK? ChipFET 单通道
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称SI5418DU-T1-GE3TR