类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：20V
　　连续漏极电流（Id）：100A
　　导通电阻（Rds(on)）：约3.8mΩ（典型值，Vgs=10V）
　　封装形式：TO-252（DPak）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

2SK980XAG MOSFET的主要特性之一是其低导通电阻，这使得在高电流条件下功率损耗显著降低，从而提高了系统的整体效率。
　　此外，该器件采用了先进的沟槽栅极技术，提升了开关性能并降低了开关损耗，使其在高频开关应用中表现出色。
　　其TO-252封装形式不仅具有良好的热管理能力，还便于安装在PCB上，适合多种电源模块和功率电路的布局设计。
　　2SK980XAG 还具备良好的短路耐受能力，能够在极端工作条件下保持稳定运行，从而增强了系统的可靠性。
　　由于其高栅极电荷（Qg）较低，该MOSFET在驱动电路设计上也较为简单，能够与常见的MOSFET驱动器兼容，进一步简化了设计流程。
　　此外，2SK980XAG 的制造工艺确保了器件之间的一致性，减少了批次差异，便于大规模生产中的质量控制。

2SK980XAG MOSFET主要应用于各类电源系统和功率控制电路中。例如，在DC-DC转换器中，它作为主开关器件用于实现高效的电压转换；在同步整流器中，该MOSFET可替代传统二极管以提高效率。
　　该器件也常用于电机驱动电路中，作为控制电机启停和速度调节的关键元件，其低导通电阻和高电流能力能够有效减少发热，提高电机系统的稳定性。
　　在开关电源（SMPS）设计中，2SK980XAG 可用于构建高效的电源转换模块，适用于服务器电源、通信设备电源以及工业控制电源等应用场景。
　　此外，它还可用于电池管理系统（BMS）中，作为充放电控制开关，确保电池组的安全运行。
　　由于其具备良好的热性能和可靠性，2SK980XAG 也适用于汽车电子系统中的功率控制，如电动助力转向系统（EPS）、车载充电器和逆变器等。
　　在工业自动化领域，该MOSFET可用于可编程逻辑控制器（PLC）和变频器等设备中的功率输出模块。

SiR100DP, IRF1010E, STP100N3LL