类型：N沟道JFET
　　封装类型：SOT-23
　　漏源电压（Vds）：30 V
　　栅源电压（Vgs）：-25 V
　　连续漏极电流（Id）：20 mA
　　耗散功率（Pd）：150 mW
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　跨导（Gm）：典型值 3.0 mS（在Id = 1mA时）
　　截止频率（fT）：典型值 120 MHz
　　噪声系数（NF）：典型值 0.5 dB（在f = 1kHz, Rs = 10kΩ）
　　栅极反向电流（Igss）：最大值 1 nA

2SK758的核心优势在于其出色的低噪声性能，这使其成为微弱信号放大的理想选择。在音频前置放大电路中，例如麦克风前置放大器或唱机拾音放大器，输入信号通常非常微弱，容易受到内部噪声干扰，而2SK758的噪声系数在1kHz下可低至0.5dB，配合10kΩ源电阻测试条件，表现出优于多数双极型晶体管甚至部分其他JFET的信噪比表现。这种低噪声特性主要得益于其结构优化的沟道设计和高质量的硅材料工艺，使得热噪声和闪烁噪声（1/f噪声）被有效抑制。此外，该器件具有较高的输入阻抗，栅极几乎不吸取电流（Igss ≤ 1nA），这意味着它不会对前级高阻抗信号源造成显著负载，从而避免信号衰减，特别适用于压电传感器、光电二极管前置放大等应用场景。
　　另一个关键特性是其稳定的跨导（Gm）表现。2SK758在典型工作电流1mA下可提供约3.0毫西门子的跨导值，这一数值在整个工作温度范围内变化较小，确保了放大增益的一致性。这对于需要长期稳定工作的精密模拟电路至关重要。同时，其截止频率高达120MHz，意味着该器件不仅适用于音频频段（20Hz~20kHz），还能在更高频率如射频小信号放大中发挥作用，例如在AM收音机前端或低频RF检测电路中实现信号预处理。SOT-23封装进一步提升了其实用性，便于自动化贴片生产，并有助于缩小整体电路尺寸。尽管其最大漏极电流仅为20mA，限制了其在大功率驱动中的应用，但恰好符合低功耗设计理念，适合便携式设备使用。综合来看，2SK758凭借其低噪声、高输入阻抗、良好频率响应和紧凑封装，在模拟信号链的第一级放大环节中展现出不可替代的价值。

2SK758常用于需要高保真信号放大的电子系统中，尤其是在输入级对噪声极为敏感的应用场景。一个典型用途是作为驻极体麦克风前置放大器的核心元件，因其高输入阻抗能够很好地匹配麦克风的输出特性，同时低噪声设计可以最大限度保留原始声音细节，提升语音采集质量。在专业音频设备中，如话筒前置放大器、混音器输入级和吉他效果器前级，2SK758也常被用来构建高保真、低失真的放大电路。此外，在各类传感器信号调理电路中，例如温度、压力或振动传感器的微弱电信号放大，该器件能有效提升信噪比，增强系统检测精度。医疗电子设备中的生物电信号采集模块，如心电图（ECG）前置放大，也可能采用类似特性的JFET以减少干扰。
　　在通信领域，2SK758可用于低频段射频信号的缓冲与放大，例如在接收机前端进行小信号预放大，提高系统灵敏度。由于其具备一定的频率响应能力（fT达120MHz），在短波或调幅广播接收电路中可作为输入调谐级的有源器件。在测试与测量仪器中，如示波器探头放大器、精密万用表输入级或数据采集系统的模拟前端，2SK758同样发挥着重要作用，确保输入信号不失真地传递至后续处理单元。此外，由于其低功耗特性，该器件适用于电池供电的便携式仪器，如手持式音频分析仪或野外环境监测设备。总之，凡是要求高输入阻抗、低噪声、稳定增益的小信号放大场合，2SK758都是一种可靠且成熟的选择。

2SK170
　　2N5457
　　J113