型号：UPA1V272MHD
　　制造商：ROHM Semiconductor
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）@25°C：8.5A
　　脉冲漏极电流（IDM）：34A
　　导通电阻（RDS(on)）@VGS=10V：4.3mΩ
　　导通电阻（RDS(on)）@VGS=4.5V：5.8mΩ
　　栅极电荷（Qg）@10V：11nC
　　输入电容（Ciss）：920pF
　　开启延迟时间（td(on)）：10ns
　　关断延迟时间（td(off)）：22ns
　　上升时间（tr）：15ns
　　下降时间（tf）：12ns
　　工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
　　封装类型：HVSOF6

UPA1V272MHD的低导通电阻是其核心优势之一，尤其在高电流应用场景下显著降低了功率损耗。当VGS=10V时，RDS(on)仅为4.3mΩ，而在典型的逻辑电平驱动电压4.5V下也能保持5.8mΩ的低阻值，这意味着即使在轻载或低电压控制条件下，器件仍能高效导通，减少发热并提高系统效率。这种低RDS(on)特性对于电池供电设备尤为重要，因为它可以直接延长电池续航时间。同时，低导通电阻也有助于减小散热设计的复杂度，允许使用更小的PCB铜箔面积或省略额外的散热片，从而节省成本和空间。
　　该器件采用HVSOF6封装，这是一种专为高电压、大电流应用优化的小型表面贴装封装。相比传统SOT-23或SOP封装，HVSOF6在保持极小尺寸的同时提供了更强的电流承载能力和更好的热传导性能。封装底部设有裸露焊盘，可通过PCB上的热过孔将热量快速传递到地层或散热层，有效降低热阻，提升功率密度。这种设计使得UPA1V272MHD能够在有限的空间内处理较高的功耗，适用于高集成度的电源模块。
　　UPA1V272MHD还具备优异的开关特性。其栅极电荷Qg仅为11nC（@10V），意味着驱动电路所需的能量较少，不仅降低了驱动IC的负担，也减少了开关过程中的动态损耗。配合较低的输入电容（920pF）和快速的开关时间（开启延迟10ns，关断延迟22ns），该MOSFET非常适合高频开关应用，如同步整流DC-DC变换器或负载开关，在这些场合中高频操作可以减小外围电感和电容的体积，进一步缩小整体解决方案尺寸。
　　此外，该器件具有良好的栅极氧化层可靠性，最大栅源电压可达±20V，提供了足够的电压裕量，防止因电压瞬变导致的栅极击穿。内置的体二极管具有较快的反向恢复特性，有助于减少反向恢复电荷和相关损耗，提升系统在感性负载下的稳定性。综合来看，UPA1V272MHD通过优化的电气参数、先进的封装技术和可靠的制造工艺，实现了高性能与小型化的平衡，是现代高效电源设计中的理想选择。

UPA1V272MHD广泛应用于各类需要高效、小型化功率开关的电子系统中。最常见的用途是在同步降压型DC-DC转换器中作为主开关或同步整流器，特别是在便携式设备的电源管理单元中，例如智能手机、平板电脑和超极本的主板电源模块。其低导通电阻和快速开关特性能够显著提升转换效率，尤其是在轻载和中等负载条件下表现优异，有助于满足严格的能效标准和延长电池寿命。
　　此外，该器件也常用于负载开关电路，用于控制不同功能模块的电源通断，如显示屏背光、摄像头模组、Wi-Fi模块等外设的供电管理。在这种应用中，UPA1V272MHD的低静态电流损耗和快速响应能力可以实现精准的上电时序控制，避免浪涌电流冲击，保护后级电路。
　　在电池充电管理系统中，UPA1V272MHD可用于充电路径的通断控制或作为放电开关，确保在待机或故障状态下完全切断电源，降低待机功耗。其高耐压能力和良好的热稳定性使其能够在复杂的电池电压波动环境中稳定运行。
　　其他潜在应用还包括LED驱动电路、电机驱动中的低端开关、热插拔控制器以及各类工业和消费类电子产品中的电源分配网络。由于其符合汽车级可靠性标准的部分版本可能存在，该器件也可能被用于车载信息娱乐系统或车身控制模块中的低压电源管理场景。总之，凡是需要在有限空间内实现高效、可靠功率切换的应用，UPA1V272MHD都是一个极具竞争力的选择。

UPA1H272MHD
　　SiSS087DN-T1-GE3
　　AON6260
　　AOZ5232EQI-02