电容值：220μF
　　额定电压：6.3V DC
　　电介质类型：X7R
　　温度特性：±15% 容差（-55°C 至 +125°C）
　　封装尺寸：1210（3225公制）
　　长度：3.2mm
　　宽度：2.5mm
　　高度：1.6mm
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　最大ESR（100kHz）：30mΩ
　　寿命测试条件：+125°C，额定电压下施加纹波电流，持续1000小时
　　绝缘电阻（IR）：≥500 MΩ 或 C·V ≥ 1000 Ω·F（取较小值）
　　电容变化率：在额定电压下，电容变化不超过初始值的±15%

TVX0J221MAD采用先进的导电聚合物-陶瓷复合技术，使其在保持MLCC固有优势的同时，实现了远超传统陶瓷电容的容量水平。这种结构结合了陶瓷介质的高稳定性和导电聚合物的高电导率，显著降低了等效串联电阻（ESR），通常在100kHz频率下可控制在30mΩ以内，从而有效抑制高频噪声，提升电源完整性。此外，该器件表现出极佳的温度稳定性，在-55°C至+125°C范围内电容值变化仅为±15%，远优于普通Y5V或Z5U类电容，适合在恶劣环境温度下工作的工业级和汽车级应用。
　　另一个关键特性是其出色的耐久性和长期可靠性。在高温负载寿命测试中，即使在+125°C高温及满额定电压条件下连续运行1000小时后，电容值衰减仍控制在允许范围内，绝缘电阻也保持在高水平，确保系统长期稳定运行。相比传统的钽电容，TVX系列无明显的“热失控”风险，避免了因瞬态过压或反向电压导致的短路失效问题，提升了整体系统安全性。此外，该器件采用无铅兼容的端接结构，符合RoHS和REACH环保标准，支持回流焊工艺，适用于自动化SMT生产线。
　　机械方面，TVX0J221MAD优化了内部电极堆叠设计，增强了抗机械应力能力，降低因PCB弯曲或热胀冷缩引起的开裂风险。其1210封装形式在提供较大容量的同时兼顾了空间利用率，是替代更大体积电解电容的理想选择。由于其非极性特性，安装时无需考虑极性方向，进一步简化了电路设计与装配流程。这些综合优势使TVX0J221MAD成为高性能电源轨去耦、DC-DC转换器输出滤波、FPGA和ASIC供电网络中的优选元件。

TVX0J221MAD广泛用于需要高可靠性、小尺寸和低ESR特性的电子系统中。典型应用场景包括便携式消费电子产品如智能手机、平板电脑和可穿戴设备的电源管理单元，用于CPU、GPU或PMIC的旁路和去耦，以维持电压稳定并吸收高频瞬态电流。在通信设备中，该电容器常用于射频模块和基带处理器的电源滤波，有效抑制开关噪声对敏感模拟电路的干扰。
　　此外，在工业控制和自动化系统中，TVX0J221MAD被应用于PLC模块、传感器接口电路和嵌入式控制器的DC-DC稳压电路输出端，提供稳定的储能功能。其宽温工作能力和长寿命特性也使其适用于车载信息娱乐系统、ADAS传感器模块等汽车电子领域，尽管其并非专为AEC-Q200认证设计，但在非关键路径中仍可作为高性能替代方案使用。
　　在医疗电子设备中，由于对可靠性和安全性要求极高，TVX0J221MAD凭借其低失效率和无热失控风险的特点，可用于便携式监护仪、血糖仪等低功耗设备的电源滤波部分。同时，该器件也适合用于服务器和数据中心的点负载电源（POL）设计，配合多相VRM架构，增强动态响应能力，保障高速数字电路的正常运行。