时间：2025/4/30 9:07:26
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IPP089N15NM6 是一款由 Infineon（英飞凌）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用了先进的 TRENCHSTOP? 技术，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于多种功率转换和电机驱动应用。其封装形式为 TO-Leadless (TOLL)，有助于提高散热性能和减小安装空间。
这款 MOSFET 的额定电压为 150V，连续漏极电流高达 9A（在特定条件下），非常适合工业、汽车以及消费类电子设备中的高效能需求场景。
最大漏源电压：150V
最大连续漏极电流：9A
导通电阻（典型值）：7.5mΩ
栅极电荷（典型值）：24nC
开关损耗：低
结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装类型：TO-Leadless (TOLL)
IPP089N15NM6 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻 RDS(on)，能够有效降低传导损耗，提升系统效率。
2. 快速开关能力，适合高频工作环境。
3. 内置反向恢复二极管，优化了硬开关条件下的表现。
4. 使用 TOLL 封装，提升了 PCB 空间利用率，同时改善了热管理和电气连接性能。
5. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常情况下的鲁棒性。
6. 符合 RoHS 标准，环保设计。
IPP089N15NM6 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率级开关。
2. 电机驱动控制，例如无刷直流电机 (BLDC) 控制电路。
3. 工业逆变器及变频器。
4. 电动车窗、座椅调节等车载电子系统的驱动。
5. 光伏逆变器和其他可再生能源相关应用。
6. 各种需要高性能功率管理的消费类电子产品。
IPP080N15N4, IPP100N15NM6
