时间：2025/8/9 10:40:32
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2SK723是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高频率开关应用。该器件采用TO-220封装，具有低导通电阻和高耐压特性，广泛用于DC-DC转换器、电源管理和电机控制等电路中。由于其优异的热稳定性和高频响应能力，2SK723在电源设计中备受青睐。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流：15A
最大漏-源电压：100V
导通电阻（Rds(on)）：0.04Ω
栅极阈值电压：2V~4V
最大栅极电压：±20V
工作温度范围：-55°C~150°C
封装类型：TO-220
2SK723具有多项优异特性，适用于高效率电源转换应用。首先，其低导通电阻（Rds(on)）为0.04Ω，有助于降低导通损耗，提高能效。其次，该MOSFET的耐压能力为100V，能够承受较高的电压应力，适用于多种中高压电源应用。
此外，2SK723的栅极阈值电压范围为2V至4V，适合使用常见的逻辑电平驱动电路进行控制。最大栅极电压为±20V，提供良好的栅极保护，避免因过电压而损坏器件。该器件的工作温度范围为-55°C至150°C，展现出良好的热稳定性，适用于各种严苛环境条件。
其TO-220封装形式不仅具备良好的散热性能，还便于安装和焊接，广泛应用于各类电源模块和工业控制系统中。综合来看，2SK723是一款性能稳定、适用性广的功率MOSFET器件。
2SK723广泛应用于各类电源管理系统和功率转换电路中。在DC-DC转换器中，该MOSFET可作为主开关元件，实现高效的电压升降压功能。其低导通电阻和高耐压特性使其成为开关电源（SMPS）中的理想选择，有助于提高电源转换效率并减少热量产生。
此外，该器件可用于电机控制电路，如电动工具、电动车和工业自动化设备中的电机驱动模块。在这些应用中，2SK723能够承受较高的电流和电压冲击，提供稳定可靠的开关控制。
在电池管理系统中，该MOSFET也可用于充放电控制和保护电路，确保电池组的安全运行。同时，2SK723适用于逆变器和UPS（不间断电源）系统，作为高频开关元件，有助于提升系统的整体性能与效率。
IRFZ44N, FDPF10N60, 2SK2545
