时间：2025/12/24 4:23:25
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STD4NK60ZT4是意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款N沟道增强型MOSFET。该器件采用TO-220封装，广泛应用于需要高效率和低功耗的电路中。其主要特点包括极低的导通电阻、高开关速度以及良好的热性能，适用于各种功率转换应用，例如电源适配器、电机驱动、开关电源等。
这款MOSFET具有600V的耐压能力，能够承受较高的电压波动，同时具备出色的电流处理能力，非常适合在高压环境下使用。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：4A
导通电阻：1.8Ω
栅极电荷：35nC
总功耗：190W
工作温度范围：-55℃ to 175℃
STD4NK60ZT4采用了先进的MDmesh?技术，这项技术显著降低了导通电阻并提高了散热性能。通过优化单元结构设计，该器件能够在保持较低导通损耗的同时实现更快的开关速度。
此外，它还具备强大的雪崩能力，能够在异常条件下保护电路不受损坏。由于其出色的电气性能和可靠性，STD4NK60ZT4成为众多工业和消费类电子产品的理想选择。
其封装形式为标准的TO-220，便于安装和维护，同时也提供了良好的散热路径以支持长时间稳定运行。
该MOSFET常用于开关电源（SMPS）、直流-直流转换器、逆变器、电池充电器以及其他电力电子设备中。其高压特性和低导通电阻使其特别适合需要高效功率管理的应用场景。
在汽车电子领域，STD4NK60ZT4也可用于车身控制模块、启动马达控制以及其他车载电子系统。此外，在家用电器如空调、洗衣机中也有广泛应用。
STD4NK60Z, IRF640, STP4NK60Z
