类型：晶体管输出型光耦合器
　　封装类型：SMD/SMT
　　隔离电压：5000 Vrms
　　最大正向电流：60 mA
　　最大反向电压：3 V
　　集电极-发射极电压：30 V
　　最大功耗：100 mW
　　响应时间：2 μs
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C

H11L1VSMT&R 具有多个显著的技术特性，首先是其高隔离电压能力，达到5000 Vrms，能够有效隔离输入与输出之间的高压干扰，提升系统的安全性和稳定性。其次是其高速响应能力，响应时间仅为2 μs，适用于需要快速信号传递的应用场景，如工业自动化控制、开关电源、逆变器等。
　　此外，H11L1VSMT&R 采用了低功耗设计，最大功耗仅为100 mW，能够在保证性能的同时降低能耗，适合对功耗敏感的电子系统。其表面贴装封装形式（SMT）有助于提高生产效率，减少PCB空间占用，增强产品的集成度和可靠性。
　　工作温度范围为-55°C至+125°C，使得该器件可以在恶劣的工业环境中稳定运行，具备良好的环境适应性。其最大正向电流为60 mA，支持较强的驱动能力，确保信号的稳定传输。

H11L1VSMT&R 主要应用于需要电气隔离和高速信号传输的电子系统中。常见的应用包括工业自动化控制系统中的信号隔离、可编程控制器（PLC）、变频器、电机驱动器等。此外，在电源管理系统、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电池管理系统（BMS）等电力电子设备中，H11L1VSMT&R 也常用于实现输入与输出之间的安全隔离和信号传递。
　　由于其高速响应和低功耗特性，该器件也适用于通信设备、医疗电子设备、测试测量仪器以及消费类电子产品中的隔离电路设计。在汽车电子系统中，如车载充电器、车身控制模块等，H11L1VSMT&R 也可用于隔离敏感的控制电路与高压电源系统。

H11L1M、H11L1E、H11L1V、HCPL-2630、TLP185