时间：2025/5/8 12:03:42
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2SK711-V是一种N沟道MOSFET功率晶体管，主要用于高频开关应用和功率放大器设计。该器件由松下（Panasonic）公司生产，广泛应用于音频设备、通信系统和其他需要高增益与低噪声特性的场合。2SK711-V以出色的线性度和稳定性著称，适用于要求严格的射频（RF）和中频（IF）电路。
类型：N沟道MOSFET
极间电压（Vds）：500V
漏极电流（Ids）：0.4A
输入电容（Ciss）：380pF
栅极阈值电压（Vgs(th)）：-2.0V至-4.0V
耗散功率（Pd）：6W
工作温度范围：-55℃至+150℃
2SK711-V具有较高的击穿电压和较低的导通电阻，能够在高频条件下提供卓越的性能。
其主要特性包括：
- 高耐压能力，适合高压环境下的应用。
- 极低的栅极电荷，确保快速开关性能。
- 稳定的电气参数，在宽温度范围内表现一致。
- 采用TO-39封装形式，便于安装和散热管理。
- 良好的线性输出能力，特别适合于高质量音频放大器和射频电路设计。
该晶体管广泛应用于以下领域：
- 音频功率放大器中的驱动级或末级放大。
- 射频及中频信号放大器。
- 开关电源（SMPS）中的高频开关元件。
- 继电器驱动和其他需要高电压控制的应用。
- 工业控制和自动化系统中的信号处理模块。
2SK712, 2SK713
