时间：2025/10/7 7:23:24
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UPX1C222MHD是一款由UNIPROTON（宇邦）公司生产的表面贴装多层陶瓷电容器（MLCC）。该器件属于高电压、大容量的陶瓷电容系列，广泛应用于各类电源管理、工业控制、消费电子以及通信设备中。UPX1C222MHD采用X7R介质材料，具备良好的温度稳定性，在-55°C至+125°C的工作温度范围内，电容值变化不超过±15%。其标称电容为2200pF（即2.2nF），额定电压为16V DC，电容容差为±20%，符合M等级标准。该器件封装尺寸为0805（英制），即公制2012，适合自动化贴片生产，具有体积小、可靠性高、等效串联电阻（ESR）低等特点。
UPX1C222MHD在设计上优化了直流偏压特性，能够在接近额定电压条件下保持较高的有效电容值，这对于去耦、滤波和旁路应用至关重要。此外，该电容器采用镍阻挡层端电极结构，增强了抗焊裂能力和耐热冲击性能，适用于回流焊接工艺。作为一款无极性元件，它在交流信号路径和高频电路中表现优异，同时满足RoHS和REACH环保要求，不含铅和其他有害物质，符合现代绿色电子产品的发展趋势。
电容值：2200pF (2.2nF)
容差：±20%
额定电压：16V DC
介质材料：X7R
工作温度范围：-55°C 至 +125°C
温度特性：±15%
封装尺寸：0805 (2012 公制)
端接类型：镍阻挡层/锡镀层
安装方式：表面贴装 (SMD)
产品系列：UPX1C
电介质特性：Class II
最大工作电压：16V DC
电容稳定性：中等
ESR：低
寿命稳定性：良好
UPX1C222MHD采用X7R型陶瓷介质，这种II类电介质材料以其出色的温度稳定性和较高的介电常数著称，能够在宽温范围内维持电容性能的相对稳定。在-55°C到+125°C的整个工作温度区间内，其电容值的变化幅度控制在±15%以内，这使其适用于对温度变化较为敏感的应用场景，如精密电源去耦和模拟信号滤波。相较于Z5U或Y5V等其他II类介质，X7R在温度稳定性与体积效率之间实现了更优的平衡，因此成为工业级和消费级电子产品的首选。
该电容器具备16V的额定直流电压，适用于低压电源轨的滤波与去耦，例如为微控制器、FPGA、ADC/DAC等芯片提供稳定的供电环境。尽管其电容值仅为2200pF，但由于X7R材料的高介电常数，能够在0805的小型封装内实现较大的电容密度，节省PCB空间的同时满足高频响应需求。此外，该器件在接近额定电压时仍能保持较高的有效电容，减少因直流偏压导致的容量衰减问题，提升实际使用中的可靠性。
机械结构方面，UPX1C222MHD采用镍阻挡层端电极设计，有效防止银离子迁移并增强焊接可靠性。该结构显著提升了器件对抗热应力和机械应力的能力，降低在回流焊或温度循环过程中出现裂纹的风险。其表面为锡镀层，兼容标准SMT焊接工艺，支持自动贴片机高速贴装，适用于大规模工业化生产。此外，该器件通过AEC-Q200等可靠性测试，具备良好的长期稳定性与耐久性。
电气性能上，UPX1C222MHD具有较低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），使其在高频去耦应用中表现出色。它能够快速响应瞬态电流变化，抑制电源噪声，提高系统电磁兼容性（EMC）。由于其无极性特性，可安全用于交流耦合、射频匹配和振荡电路中，不会因反向电压而损坏。整体而言，该电容器在性能、尺寸、可靠性和成本之间达到了良好平衡，是现代电子设计中常用的被动元件之一。
UPX1C222MHD广泛应用于多种电子系统中，主要用途包括电源去耦、噪声滤波、信号耦合与旁路。在数字电路中，它常被放置于微处理器、逻辑门电路或存储器芯片的电源引脚附近，用于吸收高频噪声和瞬态电压波动，确保供电稳定。在开关电源（SMPS）设计中，该电容器可用于输入/输出滤波网络，配合电感和其他电容组成π型或LC滤波器，有效抑制开关噪声传播。
在模拟前端电路中，UPX1C222MHD可用于ADC或DAC的参考电压旁路，提升转换精度。其稳定的温度特性和适度的电容值使其适合作为中频滤波元件，在射频接收模块或无线通信设备中实现阻抗匹配和信号整形。此外，该器件也常见于传感器信号调理电路、运算放大器反馈网络以及PLL环路滤波器中，用于相位补偿和频率响应优化。
在消费类电子产品如智能手机、平板电脑、智能家电中，UPX1C222MHD因其小型化和高可靠性而被广泛采用。工业控制设备、PLC模块、电机驱动器等对环境适应性要求较高的场合也大量使用此类电容。同时，由于其符合RoHS和REACH标准，适用于出口型电子产品和汽车电子辅助系统的设计。
GRM21BR71C222KA01L
CL21A222MKHNNNC
C2012X7R1C222K
