时间：2025/5/27 15:09:19
阅读：10
FN31N472J500PXG是一款高性能的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件，主要应用于功率转换和电机驱动等场景。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能。其设计旨在满足现代电子设备对效率和可靠性的严格要求。
该型号中的关键特性包括优化的Rds(on)以降低功耗，同时具备强大的雪崩能力和抗静电能力，确保在严苛环境下的稳定运行。
最大漏源电压：470V
连续漏极电流：31A055Ω
栅极电荷：45nC
总电容：200pF
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
FN31N472J500PXG具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻，能够有效减少功率损耗，提升系统效率。
2. 高速开关性能，适合高频应用场合。
3. 出色的热稳定性，即使在高温环境下也能保持良好的性能。
4. 内置保护机制，如过流保护和热关断功能，进一步提高可靠性。
5. 符合RoHS标准，环保且适合多种工业用途。
6. 封装形式坚固耐用，适合表面贴装和传统焊接方式。
该芯片广泛应用于各种电力电子领域，例如开关电源(SMPS)、逆变器、电机驱动器、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器以及电动车辆的功率管理系统等。其高耐压和大电流承载能力使其特别适用于需要处理高功率密度的场景。
此外，它也常见于工业自动化设备、家用电器以及通信基础设施中的功率调节模块。
IRFP460, STW47N10, FDP18N50
