型号：2SK416-S
　　极性：N沟道
　　漏源电压（Vds）：500 V
　　漏极电流（Id）：0.7 A（连续）
　　脉冲漏极电流（Idm）：2.8 A
　　栅源电压（Vgs）：±30 V
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值 7.5 Ω（最大值 9.5 Ω）@ Vgs = 10 V
　　阈值电压（Vgs(th)）：2.0 V ~ 4.0 V
　　输入电容（Ciss）：典型值 50 pF @ Vds = 25 V, Vgs = 0 V
　　输出电容（Coss）：典型值 17 pF
　　反向传输电容（Crss）：典型值 3.0 pF
　　栅极电荷（Qg）：典型值 9 nC @ Vds = 400 V
　　开启延迟时间（td(on)）：典型值 10 ns
　　关断延迟时间（td(off)）：典型值 35 ns
　　工作结温范围（Tj）：-55 °C 至 +150 °C
　　封装形式：SIP7（7引脚单列直插式）
　　功耗（Pd）：2 W（带散热片）

2SK416-S具备多项优异的电气与热力学特性，使其在中小功率开关电源应用中表现出色。
　　首先，该器件具有较低的导通电阻（Rds(on)），典型值仅为7.5Ω，在Vgs=10V的工作条件下能够有效降低导通状态下的功率损耗，提高电源转换效率。这对于需要长时间运行或对能效有严格要求的应用尤为重要。同时，其最大漏源电压高达500V，使得它适用于离线式反激变换器等直接连接交流电网的电源拓扑结构中，具备良好的耐压能力。
　　其次，2SK416-S的栅极电荷（Qg）较低，典型值为9nC，这有助于减少驱动电路所需的能量，降低驱动损耗，并支持更高的开关频率操作。低栅极电荷结合较小的输入电容（Ciss=50pF），可显著减小开关过程中的延迟时间，其中开启延迟时间为10ns，关断延迟时间为35ns，有利于实现快速响应和高效开关动作，从而减少开关损耗并改善动态性能。
　　再者，该MOSFET采用SIP7封装，具有良好的散热性能和机械稳定性。封装内部优化了芯片与引脚之间的连接结构，提升了热传导效率，确保在持续负载下结温不会迅速上升。其最大工作结温可达+150°C，具备较强的环境适应能力，可在较宽温度范围内稳定工作。
　　此外，2SK416-S具备较强的抗雪崩能力和良好的dv/dt抑制能力，能够在瞬态过压或负载突变情况下保持安全运行。其阈值电压范围合理（2.0~4.0V），兼容标准逻辑电平驱动信号，便于与PWM控制器直接接口。综合来看，这些特性使2SK416-S成为一种可靠性高、性能稳定的功率MOSFET解决方案。

2SK416-S主要应用于各类中小功率开关电源系统中，尤其适用于需要高效率、小体积和高可靠性的场合。
　　在AC-DC电源适配器中，该器件常被用作主开关管，配合反激式（Flyback）拓扑结构实现电压转换与隔离，广泛用于笔记本电脑充电器、手机充电头、路由器电源等消费类电子产品。其500V的耐压能力足以应对整流后的市电电压，而低导通电阻和快速开关特性则有助于提升能效并满足节能标准。
　　在DC-DC转换器中，2SK416-S可用于升压（Boost）、降压（Buck）或反激式拓扑中，作为功率开关元件，适用于工业控制设备、智能家居设备和便携式仪器仪表的电源模块。其小型SIP封装便于自动化装配，适合大批量生产。
　　此外，该器件也常见于电机驱动电路中，用于控制小型直流电机或步进电机的启停与调速，如打印机、扫描仪、电动玩具等设备中的驱动单元。由于其具备良好的热稳定性和抗干扰能力，能够在频繁启停和负载波动的情况下长期可靠运行。
　　其他应用场景还包括LED照明驱动电源、继电器驱动电路、逆变器以及各种需要功率开关功能的嵌入式系统。凭借其成熟的设计和稳定的供货渠道，2SK416-S已成为许多工程师在中低压功率开关设计中的优选器件之一。

2SK2546, 2SK2592, 2SK2602