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STGYA120M65DF2AG 发布时间 时间:2025/7/22 7:58:20 查看 阅读:6

STGYA120M65DF2AG 是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高性能碳化硅(SiC)功率模块,适用于高效率、高频率的电力电子应用。该模块集成了两个SiC MOSFET器件,采用双管(Dual)配置,具备低导通电阻、低开关损耗和高热稳定性等特点,适合用于电动汽车(EV)、工业电源、可再生能源系统等领域。

参数

类型:SiC MOSFET双管模块
  额定电压:650V
  额定电流:120A
  导通电阻(Rds(on)):典型值为 16mΩ
  工作温度范围:-55°C 至 175°C
  封装形式:AG(Advanced Package)
  短路耐受能力:有
  最大工作频率:支持高频开关(具体取决于驱动和散热条件)
  热阻(Rth):根据散热设计而定,典型值约为 0.25°C/W
  绝缘等级:符合相关标准(如IEC 60176等)

特性

STGYA120M65DF2AG 模块基于碳化硅(SiC)技术,具有优异的电气和热性能。其主要特性包括:
  1. **低导通电阻(Rds(on))**:16mΩ的典型值使得导通损耗显著降低,提高了整体效率。
  2. **高频开关能力**:由于SiC材料的特性,该模块可以在比传统硅基MOSFET或IGBT更高的频率下工作,从而减小磁性元件的体积,提升系统功率密度。
  3. **低开关损耗**:SiC MOSFET的开关损耗远低于硅基IGBT,特别是在高电压和高电流条件下,能够有效降低发热,提高系统能效。
  4. **高工作温度耐受性**:模块可在高达175°C的温度下稳定工作,适用于高热负荷环境。
  5. **短路保护能力**:该模块具备一定的短路耐受能力,增强了系统的可靠性和安全性。
  6. **先进的封装技术**:采用AG先进封装技术,优化了散热路径,提高了模块的热管理能力,适合高功率密度应用场景。
  7. **环保与可靠性**:符合RoHS标准,具备高可靠性和长寿命,适用于严苛的工业和汽车环境。

应用

STGYA120M65DF2AG 模块广泛应用于对效率和功率密度要求较高的电力电子系统,具体包括:
  1. **电动汽车(EV)充电系统**:如车载充电器(OBC)、DC-DC转换器等,利用其高频和低损耗特性提高充电效率并减小系统体积。
  2. **工业电源与UPS系统**:适用于不间断电源(UPS)、服务器电源、焊接电源等,提升整体能效和系统稳定性。
  3. **可再生能源系统**:如太阳能逆变器、风能转换系统中的DC-AC逆变器,利用SiC的优势实现高效率能量转换。
  4. **电机驱动与变频器**:用于高性能电机控制和工业变频器,支持高频PWM控制,提升动态响应和效率。
  5. **储能系统(ESS)**:在储能逆变器和电池管理系统中实现高效充放电控制。
  6. **测试与测量设备**:用于高精度电源测试设备,提供稳定可靠的功率输出。

替代型号

STYF100W65Gbj-AG、STGYA100M65DF2AG、STGYA120M65DF2AG-TR、STYF120W65Gbj-AG

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STGYA120M65DF2AG参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥103.83000管件
  • 系列M
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • IGBT 类型沟槽型场截止
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)650 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值)160 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm)360 A
  • 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)(最大值)2.15V @ 15V,120A
  • 功率 - 最大值625 W
  • 开关能量1.8mJ(开),4.41mJ(关)
  • 输入类型标准
  • 栅极电荷420 nC
  • 25°C 时 Td(开/关)值66ns/185ns
  • 测试条件400V,120A,4.7 欧姆,15V
  • 反向恢复时间 (trr)202 ns
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3
  • 供应商器件封装MAX247?