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2SK4004-01MR 发布时间 时间:2025/8/9 16:14:18 查看 阅读:6

2SK4004-01MR是一款由东芝(Toshiba)生产的N沟道增强型功率MOSFET,广泛用于各种电源管理和开关应用。这款MOSFET具有高耐压和大电流承载能力,适用于需要高效能和高可靠性的电路设计。2SK4004-01MR采用了小型化的表面贴装封装,便于在紧凑的电路板上使用。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏极电流(Id):最大20A
  漏极-源极击穿电压(Vds):最大60V
  栅极-源极电压(Vgs):±20V
  导通电阻(Rds(on)):最大0.038Ω(在Vgs=10V时)
  功率耗散(Pd):最大100W
  工作温度范围:-55°C至150°C

特性

2SK4004-01MR具有较低的导通电阻,使得在高电流应用中能够保持较低的功率损耗,从而提高整体效率。其高耐压特性使其能够在较宽的电压范围内稳定工作,适应不同的电路需求。
  此外,2SK4004-01MR采用了先进的封装技术,具有良好的热管理和散热性能,能够在高温环境下可靠运行。该器件还具备较高的开关速度,适合高频开关应用,减少了开关损耗并提高了响应速度。
  该MOSFET还具备较强的抗过载能力,能够在短时间承受较大的电流冲击而不损坏,从而提高了系统的稳定性和可靠性。其栅极驱动电压范围较宽,支持灵活的控制方式,适用于多种驱动电路设计。

应用

2SK4004-01MR广泛应用于各种电源管理系统,如DC-DC转换器、电机驱动电路、负载开关、电池管理系统以及工业自动化设备中的功率控制部分。此外,它也常用于消费类电子产品中的高效能电源模块,如笔记本电脑电源适配器、便携式充电设备和LED照明驱动电路。
  由于其高可靠性和紧凑的封装形式,2SK4004-01MR也适用于需要空间节省和高效能结合的嵌入式系统和物联网设备。在汽车电子领域,该器件可用于车载充电系统、电动工具和电动车的电源管理模块。

替代型号

2SK3084, 2SK2956, IRFZ44N

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