类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：11A
　　功耗（PD）：2.5W
　　导通电阻（RDS(on)）：30mΩ（典型值）
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：SOP-8

2SK3990-01SJ具备多项优异的电气和物理特性，使其在多种电源管理应用中表现出色。首先，该器件具有低导通电阻（RDS(on)），在30mΩ左右，显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统效率。其次，其最大漏源电压为30V，能够支持中等功率的电源设计，如电池供电设备、DC-DC转换器和负载开关。此外，该MOSFET的连续漏极电流能力为11A，足以应对大多数高电流应用的需求。
　　在开关性能方面，2SK3990-01SJ具备快速开关能力，减少了开关过程中的能量损耗，从而提高了整体能效。这对于高频工作的应用（如电源转换器和马达控制电路）尤为重要。同时，该器件的栅极驱动电压范围宽广，支持逻辑电平驱动，方便与微控制器或其他数字电路直接连接。
　　该MOSFET采用SOP-8封装，具备良好的热管理和空间利用率，适用于自动化表面贴装工艺，提高了生产效率和装配可靠性。其工作温度范围为-55°C至150°C，适应性强，适用于各种工业和消费类电子应用。

2SK3990-01SJ广泛应用于多种电源管理和功率控制领域。例如，在DC-DC转换器中，该器件可作为主开关元件，提供高效的电压转换能力。在电池管理系统中，它可用于电池充放电控制和负载切换，确保系统的稳定运行。此外，2SK3990-01SJ也可用于马达驱动电路，实现对直流马达或步进马达的高效控制。由于其具备逻辑电平驱动能力，因此也适用于微控制器或其他数字控制电路直接驱动的场合，如电源开关、LED驱动和传感器控制等。
　　在消费类电子产品中，该器件常用于笔记本电脑、平板电脑和智能手机的电源管理模块。在工业设备中，可用于自动化控制系统、智能电表和UPS（不间断电源）等关键部件。其高可靠性和宽工作温度范围也使其适用于车载电子设备和户外环境设备。

Si2302DS、FDN306P、2SK3990-01L、2SK3990-01L(F)