时间：2025/7/10 7:33:53
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FDD6676S是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于功率转换和开关应用。该器件采用先进的制造工艺，具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力，适合在高频开关电路中使用。
其封装形式通常为TO-252（DPAK），能够满足紧凑型设计需求，并提供出色的散热性能。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：13A
导通电阻：18mΩ
栅极电荷：4.9nC
开关时间：ton=12ns，toff=18ns
1. 超低导通电阻（Rds(on)），降低功耗和发热。
2. 高雪崩能量能力，提高系统可靠性。
3. 快速开关速度，减少开关损耗。
4. 具有良好的热稳定性和电气稳定性。
5. 封装兼容性强，便于设计集成。
6. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器。
2. 直流-直流转换器（DC-DC Converter）。
3. 电机驱动电路。
4. 工业自动化控制中的负载开关。
5. 汽车电子系统的功率管理模块。
6. LED照明驱动电路。
7. 各种便携式设备中的高效功率转换解决方案。
FDS6676A, FDN6676, IRF6676
