时间：2025/8/8 22:50:54
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2SK3990-01L是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道功率MOSFET，属于高电压、大电流类型，适用于电源管理和功率转换电路。该器件采用先进的沟槽工艺技术，具有低导通电阻（RDS(on)）和优异的开关性能，能够支持高效率的电源应用。2SK3990-01L通常用于DC-DC转换器、电机控制、电源管理模块以及各种高功率电子设备中。
类型：N沟道
最大漏源电压（VDS）：30V
最大栅源电压（VGS）：20V
最大漏极电流（ID）：80A
导通电阻（RDS(on)）：5.5mΩ @ VGS=10V
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：TO-220AB
功率耗散（PD）：100W
2SK3990-01L具有多个优良的电气特性和设计优势，首先是其极低的导通电阻（RDS(on)），这使得该MOSFET在高电流应用中能够显著降低导通损耗，提高整体效率。此外，该器件采用了先进的沟槽式结构，使得在相同芯片面积下能够实现更高的电流密度和更低的导通电阻。
其次，2SK3990-01L具备良好的热稳定性和散热性能，其TO-220AB封装结构能够有效将热量传导至散热片，从而在高功率工作条件下保持稳定运行。该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，支持4V至10V的驱动电压，兼容多种驱动电路设计，包括低电压控制IC的应用。
此外，该器件具有快速开关特性，开关损耗低，适用于高频开关电源和DC-DC转换器等需要快速响应的应用。同时，2SK3990-01L具有较高的抗雪崩能力，能够承受一定的过压和过流冲击，提高系统的可靠性。
最后，2SK3990-01L符合RoHS环保标准，不含铅和有害物质，适用于环保型电子产品设计。
2SK3990-01L广泛应用于多种电源管理和功率控制领域。首先，它常用于DC-DC转换器中，作为主开关器件，用于升压、降压或反相转换，提供高效、稳定的电压转换。此外，在电机控制电路中，该MOSFET可作为H桥或半桥结构的开关元件，实现电机的正反转和调速控制。
在电源管理系统中，2SK3990-01L可用于负载开关、电池管理、多路电源切换等场景，提供高效、可靠的电流控制。该器件也适用于高功率LED驱动、逆变器以及电源适配器等产品中。
此外，2SK3990-01L还可用于工业自动化设备、电动工具、电动车控制器以及智能家电等高功率电子设备中，满足对高效率、高稳定性和高可靠性的需求。
SiR862DP-T1-GE, IRF1405, FDS8873, 2SK3990-01L的替代型号包括2SK3990-01LM、2SK3990-01LP、2SK3990-01LT
