2SK3928-01 时间：2025/8/9 13:47:24 阅读：34

2SK3928-01 是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道功率MOSFET晶体管，适用于高频开关应用。该MOSFET采用了先进的沟槽栅极技术，具有低导通电阻和高效率的特点，广泛用于DC-DC转换器、电源管理模块、电池供电设备等电子系统中。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏极电流（ID）：20A（最大）
　　漏极-源极电压（VDS）：60V（最大）
　　栅极-源极电压（VGS）：±20V（最大）
　　导通电阻（RDS(on)）：50mΩ（典型值）
　　功率耗散（PD）：60W（最大）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-220AB

特性

2SK3928-01 MOSFET具备多项高性能特性。首先，其低导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。该器件采用沟槽栅极结构，使导电通道更宽，从而进一步降低RDS(on)，同时保持良好的开关特性。
　　其次，该MOSFET具有较高的电流承载能力，最大漏极电流可达20A，适合中高功率应用。其60V的漏源电压额定值使其适用于各种DC-DC转换器、同步整流器和负载开关电路。
　　此外，2SK3928-01具有良好的热稳定性，TO-220AB封装提供优良的散热性能，使其在高负载条件下仍能保持稳定运行。该器件的栅极驱动电压范围较宽，通常在4.5V至10V之间即可充分导通，适用于多种驱动电路。
　　最后，其封装形式适合插入式安装，便于在PCB上使用，并具备较强的机械稳定性和抗振动能力。

应用

2SK3928-01广泛应用于多种电源管理系统和功率转换电路中。例如，它常用于DC-DC降压或升压转换器中作为主开关器件，以提高转换效率并减小电路尺寸。在电池供电设备中，如笔记本电脑、移动电源和便携式医疗设备中，该MOSFET可用于高效能的电源管理单元，延长电池续航时间。
　　此外，该器件也适用于马达驱动电路、LED照明驱动器、工业自动化设备中的负载开关控制以及各种高频开关电源。由于其良好的导通特性和热稳定性，也适合用于同步整流电路中，以提升整体能效。
　　在设计中，工程师通常会将其与适当的驱动IC配合使用，以确保快速开关和稳定的运行性能。