时间：2025/5/10 13:38:47
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NJVMJD45H11RLG 是一款高性能的 MOSFET 场效应晶体管，采用先进的制造工艺设计，具有较低的导通电阻和较高的开关速度。该型号专为需要高效率和低功耗的应用而设计，适合用于电源管理、电机驱动以及各种开关电路中。
其封装形式为 TO-263（D2PAK），具有良好的散热性能，能够承受较大的电流负载，同时保证稳定的电气特性。
类型：MOSFET
极性：N-Channel
最大漏源电压Vds：60V
最大栅源电压Vgs：±20V
连续漏极电流Id：80A
导通电阻Rds(on)：1.5mΩ（典型值）
总功耗Ptot：190W
结温范围Tj：-55℃ to +175℃
封装：TO-263（D2PAK）
NJVMJD45H11RLG 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，可有效降低功率损耗，提升系统效率。
2. 高速开关能力，适用于高频开关应用，如 DC/DC 转换器和 PWM 控制电路。
3. 较高的电流承载能力，确保在大电流条件下稳定运行。
4. 支持宽范围的工作温度，适应各种恶劣环境条件。
5. 内置 ESD 保护功能，增强器件的可靠性。
6. 符合 RoHS 标准，绿色环保，适合现代电子设备的要求。
NJVMJD45H11RLG 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC/DC 转换器中的功率开关。
2. 电机驱动电路中的功率控制元件。
3. 各种工业自动化设备中的负载开关。
4. 电池管理系统 (BMS) 中的充放电控制开关。
5. 汽车电子系统的功率管理模块。
6. LED 照明驱动电路中的电流调节元件。
NJM2957D, IRFZ44N
