2SK3876 时间：2025/8/9 5:03:41 阅读：36

2SK3876是一款N沟道功率MOSFET，由东芝（Toshiba）公司生产，广泛用于高功率开关应用。这款MOSFET具有高耐压和高电流特性，适合用于电源管理、DC-DC转换器、马达驱动器以及各种高功率电子设备中。2SK3876采用了先进的沟槽式工艺技术，确保了低导通电阻和高效的开关性能，从而减少了能量损耗并提高了系统的整体效率。

参数

类型：N沟道
　　最大漏极电流：150A
　　最大漏-源电压：60V
　　导通电阻：5.5mΩ（最大）
　　栅极电压范围：±20V
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-247
　　最大功耗：200W

特性

2SK3876具备出色的导通和开关性能，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通状态下的功率损耗，使得该器件在大电流应用中依然保持较高的能效。此外，该器件采用了先进的沟槽式结构，提高了沟道密度，从而增强了导电能力。其高耐压特性（60V）使其适用于多种中高功率系统，如电源供应器、DC-DC转换器以及电动工具和电动汽车中的电机控制模块。2SK3876的TO-247封装形式不仅提供了良好的散热性能，还便于安装和使用，适用于高功率密度的设计需求。该器件还具有较高的抗雪崩能力和热稳定性，能够在恶劣的工作条件下保持稳定运行，提升了系统的可靠性和寿命。

应用

2SK3876常用于各种高功率电子设备中，如大功率电源适配器、DC-DC转换器、电池管理系统（BMS）、电动工具驱动电路、工业自动化设备中的电机控制器以及电动汽车的电源管理系统。由于其高电流承载能力和低导通电阻，该器件也适用于需要高效能开关操作的场合，例如开关电源（SMPS）和负载开关电路。此外，它还可以用于逆变器、UPS系统以及太阳能光伏系统中的功率控制模块。