时间：2025/8/2 4:26:54
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FKN3504是一款由富昌电子（Fujian Micro）推出的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理、开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、负载开关以及电池管理系统等高效率功率转换领域。该器件采用先进的沟槽式技术，具有低导通电阻（RDS(ON)）和高电流承载能力，能够在高频开关条件下提供优异的性能。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：100A（在Tc=25℃）
导通电阻（RDS(ON)）：最大4.2mΩ（在VGS=10V时）
功耗（PD）：200W
工作温度范围：-55℃至+175℃
封装类型：TO-263（D2PAK）
FKN3504采用了先进的沟槽式MOSFET技术，使其在低电压应用中具备极低的导通电阻和出色的开关性能。该器件的RDS(ON)在VGS=10V时最大为4.2mΩ，显著降低了导通损耗，提高了系统效率。此外，FKN3504具备高电流承载能力和良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作。
其封装采用TO-263（D2PAK）形式，便于安装和散热管理，适用于需要高功率密度的设计。该MOSFET还具有良好的抗雪崩能力，能够在高能量负载条件下提供可靠的保护。
另外，FKN3504具有快速开关特性，适用于高频开关电源设计，减少开关损耗并提升整体系统效率。其栅极驱动电压范围宽，支持10V至20V之间的驱动电压，适应多种驱动电路设计需求。
FKN3504适用于多种功率电子应用，包括但不限于：
? 同步整流器
? 服务器电源和电信电源
? DC-DC降压和升压转换器
? 电机驱动和负载开关
? 电池管理系统（BMS）
? 多相电源系统
由于其低导通电阻和高电流能力，FKN3504特别适合用于需要高效能、高可靠性的电源转换系统。
SiR340DP, FDS6675, IRF1324S-7PP
