2SK384是一款N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于各种电子设备和电路中,特别是在需要高效开关和功率调节的场景。这款MOSFET以其高可靠性和耐用性著称,适用于中高功率的电子应用。2SK384通常采用TO-220封装,具备良好的散热性能,能够在较高的电压和电流条件下稳定运行。
类型:N沟道MOSFET
最大漏极电流(ID):5A
最大漏源电压(VDS):900V
最大栅源电压(VGS):±30V
功耗(PD):75W
工作温度范围:-55°C至+150°C
导通电阻(RDS(on)):约1.5Ω(最大)
封装形式:TO-220
2SK384具备多项显著特性,包括高耐压能力和较高的电流容量,使其适合多种高功率需求的应用。其最大漏源电压为900V,可以适应高压电路的需求,同时最大漏极电流为5A,确保了在中等功率条件下的稳定运行。此外,该MOSFET的栅源电压范围为±30V,使其在驱动电路中具有较高的灵活性。
2SK384的导通电阻约为1.5Ω,虽然相比一些现代低RDS(on) MOSFET稍高,但在其适用的应用中仍然表现良好。该器件的封装形式为TO-220,具有良好的散热特性,能够有效降低器件在工作时的温度,提高整体的可靠性。
在工作温度方面,2SK384可以在-55°C至+150°C的范围内正常工作,表现出优异的热稳定性,适用于各种恶劣的环境条件。此外,其最大功耗为75W,进一步确保了其在高功率环境中的性能和可靠性。
2SK384因其高电压和电流处理能力,被广泛应用于多个领域。在电源管理方面,它常用于DC-DC转换器、AC-DC电源适配器以及开关电源(SMPS)中,以提供高效的电能转换和调节。此外,该器件也适用于电机驱动电路,用于控制直流电机的速度和方向,广泛应用于自动化设备和机器人技术中。
2SK384还可用于照明系统,如LED驱动器和荧光灯镇流器,以提供稳定的电流控制和高效的能量利用。在工业自动化领域,它被用于各种控制电路和功率调节装置,确保设备的高效运行和长期稳定性。此外,该MOSFET也适用于逆变器和不间断电源(UPS)系统,用于电能的转换和分配,保障电力供应的连续性和可靠性。
2SK1338, 2SK1118, IRF840